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半導體材料通路大廠崇越科技（5434）引進日本信越新型氮化鎵（GaN）on QST 晶圓，並與國內晶圓代工廠展開合作，滿足客戶製程規格需求，且配合客戶未來大尺寸晶圓的 GaN 製程趨勢，已建立12吋 QST 晶圓的生產技術。由於消費性電子、5G通訊、車用電子強勁需求帶動，預期未來氮化鎵應用將高速成長，有助於推升崇越科技成長動能。
隨人工智慧應用強勁需求，帶動5奈米和3奈米等先進製程材料需求，以及 CoWoS 及3D IC先進封裝產能。崇越科技針對半導體先進封裝發展，發表「3D IC晶片堆疊金屬細線路接合技術」。
為求效能最大化，需提升接點數量，金屬接合技術面臨多種新型的挑戰，包含：最大限度縮小凸點間距及尺寸，以及增大基板尺寸所帶來的熱應力問題。崇越科技與三菱綜合材料合作，針對這兩大市場趨勢，提供三種新型的電鍍材料作為解決方案，分別為「奈米多孔銅結構接合技術」、「低溫焊接應用銦鍍技術」與「基板端電鍍技術」。
為改善封裝製程中電鍍銅柱高度不同，導致孔洞等接合不良，「奈米多孔銅結構接合技術」在接合過程，不需進行化學機械拋光（CMP）或等離子體活化等前處理步驟，同時改善良率並縮減製程，降低成本；相較銅柱搭配焊料也擁有更好的電阻與接合表現。
隨基板尺寸越做越大，現有焊接製程在溫度過高時會出現翹曲問題。崇越引進「低溫焊接應用銦鍍技術」，使用金屬銦作為電鍍材料，不僅可低溫焊接，更具備良好的成形性與無孔洞表現，可靠度方面表現優異，同時對於α粒子（Alpha particle）控制更可達到 SULA 等級避免軟性錯誤。
此外，為克服小間距基板上使用銲料球導致缺陷，透過「基板端電鍍技術」替代錫膏，實現無缺陷的一次性凸點鍍覆，展現優異的高度均一性。此特殊添加劑技術可於不同直徑的基板鍍覆，並保證良好的共面性和無孔洞效果，提升生產效率。
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