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大基金二期入股長鑫新橋

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注資638億元 取得33%股權 有助加速擴產進程 打造DRAM生產基地

陸股示意圖。聯合報系資料照
陸股示意圖。聯合報系資料照

本文共667字

經濟日報 記者林宸誼/綜合報導

時隔兩個月,大陸國家集成電路產業投資基金二期(簡稱大基金二期)再次出手,注資人民幣145億元(新台幣638億元),入股長鑫新橋,持股比率33.14%。

總計大基金二期聯手合肥鑫益合升科技、長鑫芯安,共向長鑫新橋存儲增資人民幣390億元(新台幣1,716億元)。長鑫新橋註冊資本從人民幣50億元增至 人民幣439.24億元。

長鑫新橋小檔案
長鑫新橋小檔案

科創板日報報導,長鑫新橋有何來頭?讓大基金二期和其他兩家股權基金各豪擲人民幣上百億元,一位半導體產業人士表示,這是存儲器基地項目(主要產品是DRAM),2019年,合肥市政府與長鑫存儲、華僑城集團、北方華創科技集團等簽署,一同打造合肥長鑫集成電路製造基地。

上述項目預估總投資額超過人民幣2,200億元,地點在合肥空港經濟示範區,主要圍繞長鑫存儲項目,布局上下游供應鏈配套。其中最重要的一部分,是長鑫12吋存儲器晶圓製造基地項目,總投資金額為人民幣1,500億元,是安徽省單體投資最大的工業項目。

與大基金二期一同注資,還有合肥鑫益合升,出資額從人民幣6.5億元增至人民幣146億元,持股比重為33.28%。

長鑫芯安(合肥)企業管理合夥企業,也新增注資人民幣103.9億元,總出資額達到人民幣47億元,持股比率為33.57%。

股權穿透進一步顯示,注資的合肥鑫益合升、長鑫芯安,與安徽省政府、合肥市政府關係密切,兩檔基金背後的股東,均有合肥市國資委,以及安徽省國資委的身影,顯然都是國有企業。

長鑫存儲內存晶片自主製造項目在2019年9月正式投產,10奈米級第一代 8Gb DDR4首度亮相,一期設計產能每月12萬片晶圓。

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