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加速5G時代創新!聯華電子推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案

本文共729字

經濟日報 項家麟

為加速5G時代的創新,聯華電子今(2)日宣布,推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案,此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術,在不損耗射頻(RF)效能下,可將晶片尺寸縮小45%以上,使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件,可滿足5G更大的頻寬需求。

RFSOI是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨著新一代智慧手機對頻段數量需求的不斷增長,聯電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術,並解決晶片堆疊時常見的射頻干擾問題,將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件,透過垂直堆疊晶片來減少面積,以解決在裝置中為整合更多射頻前端模組帶來的挑戰。該製程已獲得多項國際專利,準備投入量產。

聯電的RFSOI 3D IC解決方案可減少電路板晶片所佔面積達45%,進而支援在...
聯電的RFSOI 3D IC解決方案可減少電路板晶片所佔面積達45%,進而支援在5G的行動裝置中整合更多射頻元件。聯電/提供

聯電技術開發處執行處長馬瑞吉(Raj Verma)表示,「我們領先業界,以創新射頻前端模組的3D IC技術為客戶打造最先進的解決方案。這項突破性技術不僅解決了5G/6G智慧手機頻段需求增加所帶來的挑戰,更有助於在行動、物聯網和虛擬實境的裝置中,透過同時容納更多頻段來實現更快的資料傳輸。未來我們將持續開發如5G毫米波晶片堆疊技術的解決方案,以滿足客戶對射頻晶片的需求。」

值得一提的是,聯電擁有業界最完整的射頻前端模組晶片解決方案,提供包括行動裝置、Wi-Fi、汽車、物聯網和衛星通訊等廣泛應用的需求。RFSOI解決方案系列從130到40奈米的製程技術,以8吋和12吋晶圓生產,目前已完成超500個產品設計定案,出貨量更高達380多億顆。除了RFSOI技術外,聯電的6吋晶圓廠聯穎光電還提供化合物半導體砷化鎵(GaAs)和氮化鎵(GaN),以及射頻濾波器(RF filters)技術,可充分滿足市場對射頻前端模組應用的各種需求。

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