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聯華電子推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案 加速5G時代創新

本文共1055字

經濟日報 楊連基

聯華電子今(2)日宣布,推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案,此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術,在不損耗射頻(RF)效能下,可將晶片尺寸縮小45%以上,使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件,以滿足5G更大的頻寬需求。

聯電的RFSOI 3D IC解決方案可減少電路板晶片所佔面積達45%,進而支援在...
聯電的RFSOI 3D IC解決方案可減少電路板晶片所佔面積達45%,進而支援在 5G 的行動裝置中整合更多射頻元件。 聯華電子/提供

RFSOI是用於低雜訊放大器、開關及天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨著新一代智慧手機對頻段數量需求的不斷增長,聯電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術,並解決了晶片堆疊時常見的射頻干擾問題,將裝置中傳輸與接收資料的關鍵組件,透過垂直堆疊晶片來減少面積,以解決在裝置中為整合更多射頻前端模組帶來的挑戰。該製程已獲得多項國際專利,準備投入量產。

聯電技術開發處執行處長馬瑞吉(Raj Verma)表示,我們很高興領先業界,以創新射頻前端模組的3D IC技術為客戶打造最先進的解決方案。這項突破性技術不僅解決了5G/6G智慧手機頻段需求增加所帶來的挑戰,更有助於在行動、物聯網與虛擬實境的裝置中,透過同時容納更多頻段來實現更快的資料傳輸。未來,我們將持續開發如5G毫米波晶片堆疊技術的解決方案,以滿足客戶對射頻晶片的需求。

聯電擁有業界最完整的射頻前端模組晶片解決方案,提供包括行動裝置、Wi-Fi、汽車、物聯網和衛星通訊等廣泛應用的需求。RFSOI解決方案系列從130到40奈米的製程技術,以8吋及12吋晶圓生產,目前已完成超500個產品設計定案,出貨量更高達380多億顆。除了RFSOI技術外,聯電的6吋晶圓廠聯穎光電還提供化合物半導體砷化鎵(GaAs)及氮化鎵(GaN),以及射頻濾波器(RF filters)技術,可充分滿足市場對射頻前端模組應用的各種需求。

■關於聯華電子

聯華電子(紐約證交所代碼:UMC,台灣證交所代碼:2303)為全球半導體晶圓代工業界的領導者,提供高品質的積體電路製造服務,專注於邏輯及特殊技術,為跨越電子行業的各項主要應用產品生產晶片。聯電完整的製程技術及製造解決方案包括邏輯/混合信號、嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI及BCD。聯電大部分的十二吋和八吋晶圓廠及研發中心位於台灣,另有數座晶圓廠位在亞洲其他地區。聯電現共有十二座晶圓廠,總月產能超過40萬片十二吋約當晶圓,且全部皆符合汽車業的IATF 16949品質認證。聯電總部位於台灣新竹,另在中國、美國、歐洲、日本、韓國及新加坡設有服務據點,目前全球約有20,000名員工。詳細資訊,請參閱聯華電子官網: https://www.umc.com

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