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三星晶圓代工事業群昨（28）日召開年度論壇，喊出2025年前導入2奈米生產行動應用相關晶片，與台積電（2330）規劃2奈米量產時程相當，並領先台積電要在2027年量產更先進的1.4奈米晶片，力圖彎道超車台積電的意味濃厚，並將引動新一波先進製程搶單大戰。
這是三星首度公布2奈米以下製程藍圖，南韓媒體形容堪稱「大膽」。台積電向來不評論競爭對手，面對三星近年積極在先進製程追趕，台積電總裁魏哲家先前已公開表示，旗下2奈米進度比原先預期好，維持2024年風險試產2024年、2025年量產的目標；另外，1.4奈米製程也會在台灣量產，但尚無時程。
三星27日在加州聖荷西舉行年度「三星晶圓論壇」，約700位晶圓代工夥伴代表與會，並同步發布新聞稿提到追趕台積電的路線藍圖，將在2025年前分階段將2奈米製程導入生產行動應用晶片，2025年起也將開始接單代工下一代車用電源管理晶片，並且重申要在2027年量產更先進的1.4奈米製程。
三星規劃，2025年以2奈米製程（SF2）量產行動應用晶片，2026年擴及高速運算（HPC）應用，2027年再延伸至汽車應用。三星表示，SF2的效能比目前最先進的3奈米製程（SF3）提高12%，功率效率提升25%。
近來主打「先建廠」營運策略的三星，也將擴增南韓平澤廠與美國德州泰勒廠產能，預計至2027年時將擴大無塵室容量比2021年多7.3倍。
三星也宣布，平澤廠第三條產線今年下半年開始量產行動和其他應用的代工產品，並將繼續將南韓的生產基地擴大到龍仁。
三星並於新聞稿補充，美國泰勒新工廠建設預計將於今年底完工，2024下半年開始營運。
三星強攻先進製程之際，也積極拓展第三代半導體等特殊製程量能，宣布跨入8吋氮化鎵（GaN）半導體接單代工生產服務，瞄準資料中心和汽車應用，相關服務預定2025年上線。另外，今年上半年也在開發5奈米射頻（RF）製程，節能效益比之前的14奈米射頻製程提高40%，目標2025上半年備妥，支援下世代6G聯網技術。
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