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台積電獲美補助比英特爾少 研調:暫無損其維繫競爭力

本文共1353字

經濟日報 記者楊伶雯/台北即時報導

美國商務部2024年4月8日宣布,將提供台積電(2330)66億美元投資補助及上限50億美元的貸款,台積電同步發布擴大在美投資計畫;DIGITIMES分析師陳澤嘉表示,台積電獲得美國「晶片與科學法」(CHIPS and Science Act,下稱晶片法)補助,為晶片法半導體投資補貼中僅次於英特爾的第二大,雖補助款比英特爾少,亞利桑那州新廠導入先進製程時點較英特爾晚,但台積電憑藉在先進製程大量的生產經驗,仍可望保持良好的競爭優勢。

美國商務部在3月18日宣布提供英特爾85億美元補助及110億美元的優惠貸款後,英特爾成為美國晶片與科學法案補貼的最大贏家。此前,格羅方德(GlobalFoundries)、Microchip等美國半導體業者雖也獲得晶片法補貼,但與英特爾獲得的規模相去甚遠。

陳澤嘉觀察,英特爾、台積電陸續獲得美國政府補助,兩案補貼合計達151億美元,占晶片法案對半導體製造補貼的390億美元近4成,凸顯美國意圖強化先進半導體製造能力的決心;台積電與英特爾當前的投資計畫將有助美國建立半導體先進製程生產能力。目前美國商務部尚未公布對三星電子(Samsung Electronics)的投資補貼,及三星電子未來宣布相應的投資計畫,皆是後續可關注的重點。

美國商務部宣布提供台積電高額補助後,也同步透露台積電承諾將在亞利桑那州投資興建第三座晶圓廠,及更新第二座晶圓廠投資計畫,使台積電亞利桑那州總資本支出新增逾250億美元,累計將超過650億美元。

陳澤嘉指出,台積電在考量美國半導體建廠時程、員工招募與訓練、客戶製程需求等因素下,亞利桑那州Fab 21 P1原規劃量產技術已由5奈米製程轉為4奈米,量產時程則由2024年下半遞延至2025年上半。原先規劃2026年量產3奈米製程的Fab 21 P2,因應美國客戶需求,將增加生產更先進的2奈米製程,量產時程則預定在2028年。

陳澤嘉認為,由於台積電規劃2025年在新竹寶山Fab 20量產2奈米製程,因此在2028年將2奈米製程導入Fab 21 P2,該廠製程順利升級機率相當高。

至於台積電規劃亞利桑那州第三座晶圓廠Fab 21 P3將在2030年以前完工,屆時將導入2奈米及以下先進製程。陳澤嘉表示,台積電2奈米製程於2025年進入量產階段,1.4奈米製程則可望在2027~2028年在台灣量產,因此只要在廠務建設、機台進駐、人員招募與訓練順利,Fab 21 P3亦可望在2030年以前順利導入1.4奈米製程。

不過,根據英特爾IDM 2.0戰略規劃,其Intel 3製程已在2023年下半完成開發,2024年將進入量產階段,因此成為美國率先量產3奈米製程的業者;至於Intel 18A製程,陳澤嘉預估將在2025年進入量產階段,使英特爾成為美國本土首家生產2奈米以下製程的半導體業者。

陳澤嘉觀察,英特爾在5奈米以下先進製程量產時點將早於台積電Fab 21,甚至英特爾可望在2030年以前在美國量產Intel 10A製程,相似的先進製程量產時點皆可望早於台積電Fab 21,將可提早為美國建立先進製程生產能力。然考量台積電在7奈米以下先進製程生產經驗疊加仍佔優勢,客戶高度客製化產品經驗豐富,在美國市場仍可望持續保有競爭力,全球市場競爭力可望維繫。

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