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英特爾在晶圓代工先進製程緊追台積電（2330）之際，也在先進封裝領域大進擊，21日宣布將在今年內推出Intel 3-T製程，可搭配採用其最新的Foveros Direct 3D先進封裝，爭取AI等高速運算（HPC）晶片商機，與台積電、三星等同業大打搶單戰，並與日月光投控、艾克爾等專業封測廠分庭抗禮。
英特爾是在21日於美國聖荷西舉辦的「IFS Direct Connect 2024」活動中，釋出以上訊息。業界人士分析，英特爾在先進製程與先進封裝兩路並進，加上自家晶片也猛攻AI應用，在全球AI領域的地位也會日益重要，但也意味未來與同業之間的競爭將更加激烈。
英特爾已在2D封裝有所著墨，其先進封裝布局主要包括EMIB與Foveros方案。
英特爾指出，該公司從2017年開始有2.5D EMIB封裝產品出貨，也有Co-EMIB技術，是於2022年結合EMIB與Foveros技術，推出代號為Ponte Vecchio的GPU Mac系列產品。
而第一代Foveros封裝則於2019年推出，該公司去年推出的Intel Core Ultra處理器則是運用其第二代3D Foveros封裝技術，凸點間距（bump pitch）進一步縮小。根據英特爾的規劃，接下來將進一步擴展Foveros Direct 3D先進封裝。
目前英特爾在美國奧勒岡州與新墨西哥州設有先進封裝產能，未來在馬來西亞檳城新廠也將有3D Foveros封裝相關產能。其檳城新廠後續將可望成為該公司最大的3D Foveros先進封裝據點，外界推估，該新廠可能於今年稍晚或2025年可完工運作。
英特爾先前提到，該公司規劃到2025年時，3D Foveros封裝的產能將較目前增加四倍。
值得注意的是，即使客戶不是利用其晶圓代工服務來生產晶片，英特爾先前也表示，開放讓客戶也可以只選用其先進封裝方案，目的是希望讓客戶可以更能擁有生產彈性。
英特爾先進封裝布局已有更長遠的擘畫，該公司未來將推出業界首款用於下一代先進封裝的玻璃基板方案，規畫於2026至2030年量產，並預期最先導入的市場，將是需要更大體積封裝、更高速應用及工作負載的資料中心、AI、繪圖處理等領域。
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