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聯電、英特爾合作 潛在受惠股還有誰?

聯電與英特爾25日宣布攜手在晶圓代工12奈米製程合作後,聯電正積極為新合作「動起來」。聯電/提供
聯電與英特爾25日宣布攜手在晶圓代工12奈米製程合作後,聯電正積極為新合作「動起來」。聯電/提供

本文共1218字

經濟日報 先探投資週刊

文/吳旻蓁

聯電和英特爾將合作開發十二奈米製程平台,市場除正向看待可望創造雙贏局面外,亦看好與英特爾有IP合作的M31及隸屬聯電集團的智原有望受惠。

一月二十五日,晶圓代工市場傳出重磅消息,聯電和英特爾(Intel)共同宣布,雙方將攜手合作開發12奈米製程平台,以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長。

這項長期合作將善用英特爾位於美國的大規模製造能力和FinFET電晶體設計經驗,提供兼具成熟度、性能和能耗效率的強大組合,並結合聯電在製程上的領導地位,以及為客戶提供PDK及設計支援方面的數十年經驗,得以更有效地提供晶圓代工服務。預計此十二奈米製程將在二七年投入生產。

消息一出,不少機構法人都正向看待此次雙方的合作,高盛證券認為,這將是一項創新的產業合作策略,可以更有效地利用兩家公司的資源,且聯電可進一步擴大在先進加工領域的業務,不僅可利用英特爾現成的FinFET產能,且不需從頭開始興建新廠,就能擴充先進製程產能,將有助於減輕折舊負擔,並享有更好的盈利能力;惟由於在美國運營晶圓廠具有較高的營運成本和潛在的勞動力問題等,執行風險可能比在台灣更高,且收入貢獻最早只能在2027年實現。

聯電、英特爾聯手創雙贏

而研究機構TrendForce指出,英特爾擁有先進製程技術,二○二一到二二年先後宣布IDM 2.0及併購高塔半導體(Tower)計畫,欲積極進入晶圓代工產業,惟併購高塔半導體計畫執行受阻。至於聯電則長期聚焦發展二八奈米及二二奈米主力製程,並擁有高電壓等特殊技術優勢;然而,在中國晶圓廠挾帶大量資源強勢發展成熟製程趨勢下,迫使聯電重新思考跨入FinFET世代必要性,計畫卻又受限於FinFET架構的高額投資成本而舉棋不定。

因此TrendForce認為,雙方合作由聯電提供多元化技術服務、英特爾提供現成工廠設施,採雙方共同營運,可幫助英特爾銜接自IDM轉換至晶圓代工的業務模式,擴大製程調度彈性及多元性、獲取晶圓代工營運經驗,並可集中資源於三、二奈米等更先進製程開發。

對聯電而言,除了不須負擔龐大資本支出即可靈活運用FinFET產能,自中國成熟製程的激烈競局中另謀生路,同時藉由共同營運英特爾美國廠區,也能間接拓展全球產能布局,分散地緣政治風險。

且TrendForce表示,相較於購置全新機台,採取此模式僅需設備機台移裝機的廠務二次配管費、以及相關小型附屬設備等支出,平均投資金額估可節省達逾八成。由此來看,此合作案對雙方應為雙贏局面,且未來在各自專精領域是否會有更深入的合作亦值得持續關注。

M31為英特爾聯盟一員

強強聯手之下,潛在受惠股也浮出檯面,其中,M31可以說是最有機會受益的標的,因英特爾二二年推出晶圓代工服務(IFS)加速器,打造全方位生態系聯盟,並積極拉攏IP、設計服務等領域之廠商,而M31就是其中之一,因此一旦英特爾晶圓開始量產,M31就可以收取權利金。

全文及圖表請見《先探投資週刊2285期精彩當期內文轉載》

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