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研調機構集邦科技（TrendForce）資深研究副總吳雅婷表示，受惠於 HBM 銷售單價較傳統型 DRAM（Conventional DRAM）高出數倍，相較 DDR5價差大約五倍，加上AI晶片相關產品迭代也促使 HBM 單機搭載容量擴大，促使2023～2025年間 HBM 之於 DRAM 產能及產值占比均大幅向上。
產能方面，2023~2024年 HBM 占 DRAM 總產能分別是2％及5％，至2025年占比預估將超過10％。產值方面，2024年起 HBM 之於 DRAM 總產值預估可逾20％，至2025年占比有機會逾三成。
吳雅婷指出，今年第2季已開始針對2025年 HBM 進入議價，不過受限於 DRAM 總產能有限，為避免產能排擠效應，供應商已經初步調漲5～10％，包含 HBM2e，HBM3與 HBM3e。而供應商議價時間提早於第2季發生有三大原因，其一，HBM 買方對於AI需求展望仍具高度信心，願意接受價格續漲。
其二，HBM3e的 TSV 良率目前僅約40～60％，仍有待提升，加上並非三大原廠都已經通過 HBM3e 的客戶驗證，故 HBM 買方也願意接受漲價，以鎖定品質穩定的貨源。其三，未來 HBM 每Gb單價可能因 DRAM 供應商的可靠度，以及供應能力產生價差，對於供應商而言，未來平均銷售單價將會因此出現差異，並進一步影響獲利。
展望2025年，由主要AI解決方案供應商的角度來看，HBM 規格需求大幅轉向HBM3e，且將會有更多12hi的產品出現，帶動單晶片搭載 HBM 的容量提升。根據集邦科技預估，2024年的 HBM 需求位元年成長率近200％，2025年可望將再翻倍。
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