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新思科技今日宣布與台積公司合作，在台積公司最先進的 N2 製程中提供數位與客製化設計EDA流程。相較於N3E製程，台積電N2 製程採用奈米片(nanosheet)電晶體結構，在相同功耗下可提升速度達15% ，或在相同速度下可減少30%的功率，同時還能提高晶片密度。新思科技對整體 EDA技術的大量投入讓設計人員能夠快速啟動N2製程設計，不僅為SoC帶來差異化同時也能縮短上市時程。
台積電設計基礎架構管理部負責人Dan Kochpatcharin表示，「台積電與新思協助雙方客戶在台積電最先進的N2製程中透過新思科技完整的EDA 解決方案，實現一流的設計結果。雙方長期的合作幫助創新者在各式應用中滿足或超越最嚴苛的產品設計目標；這些應用包括高效能運算、行動和人工智慧等。」
新思EDA事業群策略與產品管理副總裁Sanjay Bali說：「新思和台積電持續推進半導體技術，在最新的 N2 製程上挑戰設計物理的極限。在台積公司N2 製程中運用新思數位與客製化設計流程能讓設計人員大大受益於台積公司N2製程的先進功能，並縮短上市時程。」
新思獲認證的EDA和 IP 解決方案在台積公司3奈米製程技術的成功，建立了雙方在N2上的合作基礎，迄今已有數十家業界領先公司藉此成功完成產品設計定案(tape-out)。新思的客戶可仰賴經認證的數位與客製化設計流程、新思基礎IP和介面 IP以及新思晶片生命週期管理 (SLM) 的晶片內(in-chip)製程、電壓和溫度 (PVT) 監控 IP 來提升N3 設計。 而有意將 N4 和 N5 設計轉移到 N3E 的設計人員則可利用新思EDA 類比遷移流程，有效率地在不同製程節點中重複使用同一設計。
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