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晶片巨人英特爾（Intel）積極投入先進製程研發，也同步進擊先進封裝領域，該公司正在馬來西亞檳城興建最新的封裝廠，規畫到2025年時，其整體3D Foveros封裝的產能將增加四倍，且未來檳城新廠將會成為該公司最大的3D Foveros先進封裝據點。
英特爾的先進封裝包括2.5D EMIB與3D Foveros方案，從2017年開始導入EMIB封裝，第一代Foveros封裝則於2019年推出，當時凸點間距為50微米。預計今年下半年稍晚推出的最新Meteor Lake處理器，則將利用第二代Foveros封裝技術，凸點間距進一步縮小為36微米。
英特爾的第二代Foveros 3D封裝，基本上是把良裸晶堆疊在基底晶圓(Base Wafer)上，再經過Die Attach、Post Mold等程序，再放置於捲帶中，進行後續流程。
除了美國奧勒岡州的據點，英特爾在2年前就已宣布，投資35億美元擴充新墨西哥州的先進封裝產能，至今仍進行中。至於檳城新廠，該公司表示，興建進度符合計畫。外界則推估，該新廠可能於2024年稍晚或2025年可完工運作，讓英特爾的3D先進封裝戰力如虎添翼。
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