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研調機構集邦科技（TrendForce）最新報告指出，記憶體原廠在面臨輝達（NVIDIA）以及其他雲端服務業者（CSP）自研晶片的加單下，故加大直通矽晶穿孔（TSV）產線來擴增高頻寬記憶體（HBM）產能。
從目前各原廠規劃來看，預估2024年HBM供給位元量將年增105％，不過，考量TSV擴產加上機台交期與測試所需的時間合計可能長達9～12個月，故集邦科技預估多數HBM產能要等到明年第2季才可望陸續開出。
集邦科技分析，由於2023～2024年屬AI建置爆發期，故大量需求挹注在AI訓練晶片，並推升HBM使用量，後續建置轉為介面（Inference）應用以後，對AI訓練晶片及HBM需求的年成長率則將略為收斂。
觀察HBM供需變化，2022年供給無虞，2023年受到AI需求突爆式增長導致客戶的預先加單，即便原廠擴大產能但仍無法完全滿足客戶需求。展望2024年，集邦科技認為，基於各原廠積極擴產的策略下，HBM供需比（Sufficiency Ratio）有望獲改善，預估將從2023年的-2.4％，轉為0.6％。
以HBM不同世代需求比重而言，TrendForce表示，2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3，需求比重分別預估約是50％及39％。隨著使用HBM3的加速晶片陸續放量，2024年市場需求將大幅轉往HBM3，而2024年將直接超越HBM2e，比重預估達60％，且受惠於其更高的平均銷售單價（ASP），將帶動明年HBM營收顯著成長。
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