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台積電（2330）昨（8）日和美國商務部共同宣布，台積電美國投資案，最高可獲得美方66億美元（約新台幣2,112億元）直接補助；台積電並二度拉高美國投資金額至逾650億美元（逾新台幣2兆元），同時宣布要在美國設立第三座廠，預計將在2030年前導入2奈米製程或更先進的製程。
台積電表示，上述補助案，是由美國商務部和台積亞利桑那（TSMC Arizona）共同簽署一份不具約束力的初步備忘錄，並基於美國《晶片與科學法》，台積電除了獲得美方最高66億美元的補助外，另可獲得最高50億美元（約新台幣1,600億元）貸款。
台積電昨天股價漲3元、收783元；周一ADR早盤上漲逾2%。
台積電董事長劉德音透過新聞稿指出，《晶片與科學法》為台積電創造了機會，推動這項前所未有的投資，使台積能以在美國最先進的製造技術提供晶圓製造服務，「讓我們能更好地協助我們的美國客戶，其中包括數間全球領先的科技公司」。台積電總裁魏哲家表示，藉由提升TSMC Arizona在先進製程技術上的產能，來幫助客戶釋放創新。
之前台積電曾調高美國投資總金額至400億美元，昨天宣布二度調高美國投資額度至逾650億美元，調幅高達62.5%。
台積電指出，亞利桑那首座晶圓廠依進度，將於2025上半年開始生產4奈米製程技術，第二座廠除了3奈米，並將於2028年生產2奈米。至於第三座晶圓廠預計將在21世紀20年代底（2029～2030年），採用2奈米或更先進的製程技術進行晶片生產。
美國商務部對半導體大廠赴美投資補助陸續出爐，目前以英特爾獲85億美元補助，外加110億美元貸款規模最大。業界並傳出，三星規劃於美國時間4月15日與美國官方共同宣布追加投資美國泰勒廠，屆時美國官方補助細節也將公布。
台積電日本廠獲官方補助總額最高，日方補助台積電熊本一廠4,760億日圓，以及補助7,320億日圓建二廠，總計將投入約1.2兆日圓（約新台幣2,500億元）。
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