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經濟部近日召開A+企業創新研發淬鍊計畫決審會議，世界先進計畫獲得新台幣1.5億元補助，擬發展全球首例化合物半導體氮化鎵磊晶於8吋QST基板（GaN-on-QST），以及1200V高效能氮化鎵功率元件製程技術，主要用於車用及工業應用市場。
經濟部產業技術司今天發布新聞稿表示，近日召開A+企業創新研發淬鍊計畫113年度第1次決審會議，會中通過4項計畫，其中獲得補助金額最大為世界先進積體電路股份有限公司「高功率暨高效能GaN on QST元件與製程技術開發計畫」。
技術司表示，世界先進擬發展全球首例化合物半導體氮化鎵磊晶於8吋QST基板（GaN-on-QST），以及1200V高效能氮化鎵功率元件製程技術，主要用於車用及工業應用市場，並獲得1.5億元補助經費。
技術司說明，這項計畫充分利用GaN-on-QST 8吋基板熱匹配特性，預期提升元件耐壓至1200V以上，開發後將可提供更優越的電動車車載充電器、充電樁等高壓高功率系統的元件選擇，結合效能和成本優勢。
根據研究機構Yole預估，2028年GaN整體市場需求將超過20億美元。技術司表示，計畫於2024年啟動，預計3年內完成開發進入量產，同時整合國內上下游產業，建立完整自主生態供應鏈，預估衍生投資所帶來效益，可帶動上下游產業整體潛在就業機會，並以每年超過10%的比例持續成長。
此外，全方位布局將可強化台灣於化合物半導體領域的自主開發實力，極大化氮化鎵於電動車、數據中心電源系統、再生能源儲能系統等市場的市占率，進而在全球競爭中獲得戰略優勢。
其餘3件計畫分別為康淳科技股份有限公司「高離子通量低碳排創新海淡系統之關鍵材料技術開發計畫」，獲得補助4580萬元；福記冷凍食品股份有限公司「蛋原料品質暨儲運數位協作開發計畫」，獲得補助2544萬元。
安宏生醫股份有限公司「針對雄激素受體：開發前列線癌治療的前導化合物，並推進NMR-AI平台以增強藥物設計能力」計畫，獲得補助900萬元。
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