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半導體封測廠微矽電子（8162）今（22）日舉行上市前業績發表會，董事長張秉堂表示，公司布局多年的氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）第三類半導體測試、薄化及切割技術，預期今年將持續受惠於車用產業需求，推動公司營運向上成長，目前微矽電子的竹南新擴建廠房將可望在第2季投入量產。
微矽電子目前實收資本額6.46億元，目前主要提供半導體測試、晶圓薄化與半導體封裝的整合性服務，並鎖定電源效率相關的功率元件與電源管理IC加工。此外，微矽電子表示，近年亦積極投入氮化鎵與碳化矽的測試、薄化與切割技術，相關技術領先同業3～5年。
其中，微矽電子在竹南廠區擴建的新廠房，預計今年第1季將可望完工，第2季完成無塵室建置，同季就可投入量產，將全力進攻氮化鎵、碳化矽等相關商機。
張秉堂表示，公司去年營運為創立以來最艱辛的一年，不過今年在各式應用回溫效應下，將會力拚帶動公司重返營運軌道。微矽電子公告去年前三季合併營收達6.21億元，毛利率7％，稅後淨損5,513萬元。
另外，張秉堂指出，產能利用率的高低直接影響公司獲利，而產能利用率取決於製程良率、成本及交期。法人推估，由於各式終端應用持續回溫，加上庫存調整已回到健康水準，預期今年微矽電子產能利用率將可望力拚回到70～80％的相對高水位。
據了解，微矽電子在半導體後段製程上可提供客戶包括：晶圓測試（CP）、成品測試（FT）、探針卡製造、晶圓正面金屬鍍膜（FSM）、晶圓背面研磨與金屬鍍膜（BGBM）、晶圓切割、晶粒挑揀（Pick & Place）及晶粒捲帶（Tape & Reel）等一站式的整合性服務。
微矽電子表示，因應半導體市場對半導體氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）產品需求的增加，微矽電子亦具備第三類半導體相關之產品測試能力，並持續投入前瞻性產品之測試開發，及建構多角化的產品組合，例如，測試封裝產品線就涵蓋氮化鎵、碳化矽、MOSFET、IGBT、Diode及MCU等，可提供客戶多樣性的產品測試封裝需求，隨著客戶產品需求之成長，可望帶動該公司長期競爭力。
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