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華邦電:AI驅動DRAM快速成長 3年內產值有望倍增

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中央社 記者張建中台南10日電

華邦電總經理陳沛銘看好人工智慧(AI)將驅動動態隨機存取記憶體(DRAM)市場快速成長,未來3年內DRAM產值可望倍增。

華邦電總經理陳沛銘出席成電論壇,演講人工智慧記憶體。他指出,伺服器出貨量過去逐年成長7%至8%,今年罕見衰退,出貨量恐自1400萬台滑落至1200萬台,不過未來可望恢復成長。

其中,AI伺服器目前1年出貨量不超過20萬台,預期明年可望激增至100萬台規模,將帶動高頻寬記憶體(HBM)供不應求。

陳沛銘估計今年DRAM產值約430億美元,隨著出貨量及產品價格揚升,2026年產值可望突破1000億美元規模,DRAM產值未來3年內可望倍增。

陳沛銘表示,HBM因要堆疊、難度高,目前每位元價格為一般DRAM的20倍,未來仍將是DRAM的5到7倍水準,預期HBM產值可望逐年倍增,預期占整體DRAM產值比重將自今年的4%,快速攀升至2027年的20%。

陳沛銘說,手機數據機、固態硬碟(SSD)及影像對記憶體頻寬要求高,瞄準市場小密度、高算力的記憶體需求,華邦電推出CUBE方案,搶攻AI相關商機。

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