環球晶董座徐秀蘭認錯：8吋碳化矽推動比預期強 2026年產出將超越6吋

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2023/10/26 13:56:30

聯合報記者簡永祥／台北即時報導

積極拓展第三代化合物半導體的環球晶（6488）董事長徐秀蘭今日表示，她錯估客戶對8吋碳化矽（SiC）需求爆發力，2年前她預估8吋SiC還不那麼快到了，但現在情況出乎她預期，她強調環球晶將加快8吋碳化矽基板產能建置，預估明年將送樣給所有需要8吋基板的客戶進行認證，並於2025年放量生產，集團設定6吋和8吋年產100萬片目標，預估2026年8吋可望超過一半。

徐秀蘭今日在光電科技工業協進會主辦的「第31屆國際光電大展」，宣布環球晶在碳化矽基板獲得重大突破。徐秀蘭表示，環球晶在這次光電展中，展出大型大及薄化二大技術。首先大型化部分，環球晶透過自行開發長期設備，透過AI大數據分析，在8吋矽化碳基板開發，良率已突破50%，至於良率達到什麼階段，她表示基於商業機密，不便透露。

其次，在薄化方面，環球晶展出已在6吋量產的基板，展出薄度僅90um（微米）的矽化矽基板，她強調，碳化矽是硬脆材料，雖然90um不代表未來會成為業界導入主流規格，但在堅硬的材料做到薄度僅90um，難度非常高，這也意味未來業界認為350um主流規格（環球晶未來在8吋就會主攻350um產品），環球晶將可提供導入功率元件量產良好的基板。

徐秀蘭強調，環球晶目前在碳化矽進展比預期好且順利，公司規畫明年送樣給所有需求的客戶，甚至包括8吋基板，客戶希望環球晶備妥年產100萬片的產能，初期會以6吋為主，但相信明年8吋基板經客戶完成認證後，2025年將可快速成長，預估到2026年，8吋比重將超越6吋。

徐秀蘭表示，目前環球晶碳化矽基板主要生產據點在台灣，未來碳化矽磊晶將會在美國廠進行，一定會再拓展二個基板廠、二個磊晶廠；至於拓展新廠或增建新產能，考慮地緣政治，分散供應風險的因素，新增的基板廠或磊晶廠可能在義大利或日本。

她強調，矽化矽具備耐高溫、高壓及高頻等特性，將是因應電動氣及電氣化發展，功率元件導入設計的重要上游非常重要的晶圓，這也是環球晶看好未來市場並加速開發的關鍵。