美半導體補貼規則拍板 限制廠商在大陸、俄國等國擴產

美國商務部22日公布補貼半導體製造業者的最終規則，限制獲得補貼的廠商在中國大陸、俄羅斯及其他令美國產生國安疑慮的國家擴張半導體產能，並規定這些廠商不得與這類國家的機構進行共同研究或科技授權，為拜登政府依據「晶片與科學法」動支390億美元補貼前清除最後一道障礙。接受補貼的廠商若違反規則，商務部可收回補貼。

綜合路透與彭博資訊報導，商務部最新公布的最終規則規定，接受補貼的廠商在十年之內，禁止在這類國家大幅（significant）擴張尖端及先進半導體製造產能：先進晶片產能不得擴充逾5%，28奈米以上成熟製程晶片不得擴產10%。

獲得補貼業者，不能新增無塵室或其他實體空間產能。商務部原先只限制生產能力，但業者表示每月產能變化甚大，因此限制無塵室及其他設施的規模是比較適當的衡量標準。

最終規則也擴大管制領域，明訂晶圓與基板（substrate）生產，皆屬於半導體製造範圍。

此外，廠商與上述那類國家的機構從事共同研究及科技授權也受限制，但容許國際標準、專利授權，以及利用晶圓廠及封裝服務等合作。

雖然原本規定允許企業在有限情況下，在這類國家擴產成熟製程晶片，但22日發布的最終規則，將一系列半導體都劃分為攸關國安，因而受到更嚴格管制，例如在輻射密集環境下用於量子運算的當前一代和成熟製程晶片，以及其他專業軍用晶片，都納入更嚴格管制。

商務部也將原計畫中一些更嚴格管制措施刪除。例如之前晶片計畫處打算對廠商在中國大陸投資先進產能的上限訂在10萬美元，進而使廠商完全無法在當地擴張比28奈米更先進的晶片產能，先前會如此規定，是把10萬美元納入「大幅」的定義。