集邦：0403強震後調查晶圓代工、 DRAM 產能均無嚴重影響

研調機構集邦（TrendForce）針對403震後台灣各半導體廠地震後的動態更新。由於此次大地震大多晶圓代工廠都位在震度四級的區域，加上台灣半導體工廠多以高規格興建，內部減震措施都是世界頂尖水準，多半可以減震1至2級。

以此次的震度來看，幾乎都是停機檢查後迅速復工進行，縱使有因為緊急停機或地震損壞爐管，導致線上晶圓破片或是毀損報廢，但由於目前成熟製程廠區產能利用率平均皆在50~80%，故損失大多可在復工後迅速將產能補齊，產能損耗算是影響輕微。

DRAM方面，以位於新北的南亞科（2408）Fab3A，以及美光林口廠受地震影響較大。南亞科該廠區主責20/30nm製程的產品，最新製程1Bnm正在開發中；美光林口廠與台中廠為DRAM重要生產基地，內部系統已將二個廠區合而為一，目前已有最新1beta nm製程的投片，後續也將有HBM在台灣生產仍需數日時間完全恢復運作，其餘廠區多半在停機檢查後陸續復工。力積電、華邦電等均無恙。

晶圓代工方面，台積電包含Fab2/3/5/8等多座6吋及8吋廠、研發總部Fab12，以及最新的Fab20寶山工廠均位在震度4級的新竹。

其中，僅Fab12因水管破裂造成部分機台進水，主要影響在尚未量產的2nm製程，因此評估短期營運不受影響，但可能因機台受潮需要新購機台，造成資本支出小幅度增加。

其餘廠區在停機檢查後已陸續復工，暫無重大災損，而其餘廠區個別有人員疏散或執行停機檢查，現均已陸續恢復運作。

目前產能利用率較高的台積電5/4/3nm先進製程廠區，未進行人員疏散，停機檢查已在震後6~8小時恢復90%以上運作，影響仍在可控範圍。

CoWoS廠區方面，目前主要運作廠區龍潭AP3及竹南AP6，事發當下立即進行人員疏散，停機檢查後發現廠務冰水主機有水損問題，但廠務系統多有備援設施，評估不影響運作，已陸續復工。

此外，聯電1座6吋廠及6座8吋廠均位在新竹，另有一座12吋廠位在台南，以90~22nm量產為主；力積電包含12吋DRAM與8吋、12吋Foundry皆位在新竹苗栗一帶，其中DRAM以25/21nm製程利基型產品為主。

世界先進共3座8吋廠位於新竹，一座8吋廠位於桃園。上述廠區多半在人員疏散、短暫停機檢查後陸續恢復運作。