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為搶攻AI商機，記憶體大廠美光（Micron）在美國時間26日宣布，最新高頻寬記憶體HBM3E正式量產，該解決方案將用於今年第2季出貨的輝達H200 Tensor Core GPU，此里程碑使美光居於業界領先地位。消息激勵美光股價同日大漲4%，27日美股早盤續漲逾2.5%。
隨著美光搶先宣布第五代高頻寬記憶體HBM3E已正式量產，三星電子也緊接著公布12層HBM3E已開發完成，使得原先在HBM領域跑在前頭的SK海力士腹背受敵，27日股價應聲重挫。
美光HBM3E目前提供24GB容量，每腳位傳輸速率超過每秒9.2 Gb，記憶體頻寬達每秒1.2 TB以上。與競品相比，美光HBM3E功耗降低約30%。
該公司也規劃將在2024年3月推出12層堆疊36GB HBM3E的樣品，相較於競品，效能可達到每秒1.2TB以上，並具備優異的功耗表現。
花旗分析師丹納利表示，這項發展有利美光，預期該公司2024年將產生7億美元的HBM營收。
接著，三星27日宣布成功研發出利用矽穿孔技術（TSV）的業界首款12層堆疊HBM3E，容量為迄今業內最大的36GB，已開始向客戶提供12層堆疊HBM3E的樣品，並計劃下半年投入量產。
根據MoneyToday上周報導，SK海力士1月中旬結束HBM3E開發，順利完成輝達歷時半年性能評估，預定3月開始量產HBM3E，進度顯然落後美光。SK海力士27日收跌4.9%。
另外，Omdia最新數據顯示，三星電子2023年第4季動態隨機存取記憶體（DRAM）全球市占率為45.7％，穩居榜首，SK海力士市占31.7%，名列第二，美光市占19.1%，排在第三。
在DRAM之中，快速成長的HBM是最新戰場；TrendForce預估，HBM的市場規模，將從今年的39億美元成長至2027年的89億美元。
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