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陽明交大團隊與台積電合作，引入光熱合併的方法，並結合紫外線照射和氧氣退火技術，實現超薄層半導體中閾值電壓調變的技術，引領積體電路技術的全新發展方向。
陽明交通大學今天發布新聞稿指出，近年來隨著半導體元件微縮，二維和準二維厚度的半導體研究持續升溫，其中透過改變材料載子濃度在超薄電晶體中調節閾值電壓，一直極具挑戰性，因為材料尺寸已接近甚至小於摻雜原子的尺寸，導致電子傳輸和控制極其困難，如何實現閾值電壓的有效調變也成為難題。
陽明交通大學電子研究所助理教授連德軒的研究團隊與台積電合作，引入光熱合併的方法，結合紫外線照射和氧氣退火，成功實現在超薄氧化銦電晶體中大範圍及大面積的閾值電壓調變，研究成果刊登於國際期刊「自然通訊」。
研究團隊提到，這種方法能實現正向和負向的閾值電壓調節，並且是可逆的操作方式，對下一代積體電路技術的發展提供重要方向；透過閾值電壓的可控性，研究團隊也通過自動化雷射系統（與雷傑科技合作），實現晶圓尺寸的閾值電壓調變，凸顯此方法在測試以外的的實際應用性。
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