集邦：消費端DRAM價格恐難反彈

據集邦（TrendForce）今（4）日表示，美國商務部去年10月7日頒布半導體限制措施，針對中國境內18nm製程（含）以下設備進口，需經商務部審查。其中SK海力士（SK hynix）無錫廠獲得一年的生產許可，但由於擔憂地緣政治風險升高，加上需求清淡導致庫存壓力持續，於今年第1季開始減產，該廠每月投片量減少約30%。

TrendForce表示，無錫廠主流製程為1Ynm，原先計畫將產能持續轉進1Znm，並降低舊製程產量。然而，未來製程轉進受限於美禁令影響，故SK海力士決議提升21nm產線比重，該製程主要產品為DDR3、DDR4 4Gb。長期而言，SK海力士擴產重心將轉回韓國，無錫廠則用於供應中國內需，以及較舊製程的Consumer DRAM市場。

集邦表示，DDR3、DDR4 4Gb占SK海力士整體Consumer DRAM出貨不到三成，但由於SK海力士延長舊製程產線，小容量的Consumer DRAM供給量將會逐漸增加。

分析台系相關產品供應鏈，集邦認為，南亞科（2408）（Nanya）、華邦（2344）（Winbond）以及協助IC設計廠代工的力積電（6770）（PSMC）都有供應DDR3 4Gb，DDR4 4Gb目前則以南亞科為主。

以各廠製程節點角度來看，集邦分析，DDR3 4Gb三大廠與南亞科製程約為20nm上下；在DDR4 4Gb方面，三星（Samsung）目前20nm與1Xnm都有供應，且有意於今年下半年轉進至1Znm，製程結構上最為領先；美光（Micron）則無供應該容量顆粒；SK海力士與南亞科約20nm。整體來看，其他台廠主流產品為DDR3，且製程仍位於25nm節點，雖華邦、力積電都在開發20nm中，但在量產前製程仍較為落後。

集邦表示，從今年第1季Consumer DRAM需求端來看，因電視庫存去化較早，因此SoC近期訂單小幅增加，需求相對好轉；車用需求雖有一定支撐，但目前市場規模仍小；網通需求能見度仍低，買方普遍保守看待，且認為下半年訂單需求還會降低。

TrendForce表示，儘管原廠陸續減產Consumer DRAM，但納入庫存水位計算，整體仍處供過於求，預估第2季均價仍有10~15%跌幅。值得注意的是，由於Consumer DRAM僅占整體DRAM市場消耗量約8.5%，長期來看，SK無錫廠產能陸續開出後將對其他原廠造成供貨壓力，價格要反彈恐更困難。