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大陸3D NAND快閃記憶體製造商長江存儲，已於9日在美國加州北區地方法院，對美國記憶晶片龍頭美光科技提告，指控美光侵犯了長江存儲八項與3D NAND相關的美國專利。
大陸科技新媒體《芯智訊》報導，長江存儲在提告書中稱，美光的128層、176層等許多系列3D NAND侵犯了長江存儲八項專利。美光在未經授權的情況下利用長江存儲的專利技術來與長江存儲進行競爭，保護市場占有率，侵犯了長江存儲的利益，遏制了創新的動力。
近年來，隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，周邊CMOS電路所占據的晶片面積或將達到50%以上。為了解決這一問題，長江存儲在2018年推出了自研的創新的Xtacking技術。
在中美科技戰陰影籠罩之下，美光今年低調參加在上海舉辦的進博會。大陸商務部部長王文濤1日會見美光總裁梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）一行時表示，歡迎美光繼續扎根並深耕大陸市場，「在遵守大陸法律法規的前提下」實現更好發展。梅羅特拉則表達了持續擴大在陸投資的意願。
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