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SK 海力士將清州M15X定為新 DRAM 生產基地 投資5.3兆韓元

南韓半導體大廠SK海力士24日宣布,為應對用於AI的半導體需求劇增,決定擴充AI基礎設施(Infra)的核心產品。 美聯社
南韓半導體大廠SK海力士24日宣布,為應對用於AI的半導體需求劇增,決定擴充AI基礎設施(Infra)的核心產品。 美聯社

本文共859字

經濟日報 記者李孟珊/台北即時報導

南韓半導體大廠SK海力士24日宣布,為應對用於AI的半導體需求劇增,決定擴充AI基礎設施(Infra)的核心產品、即HBM等新一代DRAM的生產能力(Capacity),董事會決議通過,將建設在韓國忠清北道清州市的M15X,定為新的DRAM生產基地,並決定向廠房(Fab)建設投資約5.3兆韓元。

SK海力士表示,將在本月末開始進行建設工程,計畫於2025年11月竣工並開始量產,公司也將依次進行設備投資,從長遠來看,向M15X投資逾20兆韓元的策略,能進一步擴充產能。

SK海力士指出,作為AI應用的記憶體領域全球領先者,希望希望通過在韓國生產基地加大投資,啟動韓國經濟動能做出貢獻,同時鞏固提升半導體強國的地位。

隨著AI時代的來臨,半導體業界認為DRAM市場進入了中長期增長時代,SK海力士認為,預計年均增長率高達60%以上的HBM,以面向伺服器的高容量DDR5模組為主的普通DRAM產品需求也將持續增加。

在此趨勢下,SK海力士強調,要想確保HBM產品的產量達到與普通DRAM相同的水準,至少需要相對於普通DRAM兩倍以上的生產能力,所以提高以HBM為主的DRAM產能是首要課題。

SK海力士決定在龍仁半導體集群的第一座工廠竣工,也就是2027年上半年之前,於清州M15X廠生產新一代DRAM產品,同時,公司考量M15X廠的地理位置優勢,其與正在擴充TSV生產能力的M15廠相鄰,可以進一步優化HBM生產。

SK海力士除了推進M15X專案外,也將如期進行投入約120兆韓元的龍仁半導體集群等韓國國內的投資計畫。

目前,龍仁半導體集群的用地在建工程進度約為26%,相較於工程目標快3個百分點,公司已完成布局生產設施的用地相關補償和文化遺產調查工作,電力、用水、道路等基礎設施的建設工程,計畫在明年3月開工建造龍仁半導體集群第一座工廠,並於2027年5月竣工。

SK海力士CEO郭魯正強調,M15X將成為向全世界提供AI應用記憶體的核心設施,也是公司邁向未來的墊腳石,確信此次投資不僅有助於公司,還會對國家經濟的未來發展做出貢獻。

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