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美國晶片大廠英特爾（Intel）18日表示，已成為首家組裝荷蘭艾司摩爾（ASML）新型「高數值孔徑極紫外光」 （High NA EUV）微影工具的企業，是該公司力圖超越競爭對手的重要一環。
路透報導，英特爾是率先購買ASML價值3.5億歐元（3.73億美元）High NA EUV設備的廠商之一。這些設備有望幫助縮小晶片設計多達三分之二，但晶片製造商也須權衡這項優勢與更高的成本之間的利弊，以及較舊技術是否能更可信和已經夠好。
英特爾微影主管菲利普斯（Mark Phillips）說：「我們承諾使用這些工具時，也同意價個，若我們對這些工具的成本效益沒信心，我們不會如此」。
英特爾決心率先採用High NA並非偶然。該公司雖幫助開發EUV技術，開始使用首款EUV產品的時間卻晚於台積電，執行長基辛格（Pat Gelsinger）已承認這是一大錯誤。
英特爾反而聚焦於被稱為「多次曝光」（multi-patterning）的技術－基本上是使用解析度較低的微影機器，透過更多步驟達到同等效果。菲利普斯說：「那就是我們遭遇麻煩的時刻。」雖然較舊的深紫外光（DUV）工具成本較低，但複雜的多次曝光卻很耗時間，也導致瑕疵晶片過多，拖慢英特爾的商用化進展。
如今，英特爾已在其最佳晶片的最關鍵環節採用了第一代EUV，菲利普斯表示，轉向High NA EUV設備的過程將更平順，「現在我們有了EUV，我們就會向前看，我們不想重蹈覆轍」，這台位於奧勒岡州Hillsboro園區的設備將在 「今年稍後全面投入運作」。
英特爾計劃運用這台尺寸相當於一台雙層巴士的設備，在2025年開發14A製程世代晶片，2026年早期生產，2027年全面量產。
ASML本周表示，已啟動出貨第二台High NA系統給一家客戶的過程，可能是台積電（2330）或南韓三星電子。這台大型工具的運輸和安裝可能需要長達六個月時間，帶給英特爾先機。
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