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英特爾已率先組裝 ASML 下一代晶片生產設備 拚贏得先機優勢

英特爾(Intel)表示,已成為首家組裝荷蘭艾司摩爾(ASML)新型「高數值孔徑極紫外光」 (High NA EUV)微影工具的企業。路透
英特爾(Intel)表示,已成為首家組裝荷蘭艾司摩爾(ASML)新型「高數值孔徑極紫外光」 (High NA EUV)微影工具的企業。路透

本文共793字

經濟日報 編譯簡國帆/綜合外電

美國晶片大廠英特爾(Intel)18日表示,已成為首家組裝荷蘭艾司摩爾(ASML)新型「高數值孔徑極紫外光」 (High NA EUV)微影工具的企業,是該公司力圖超越競爭對手的重要一環。

路透報導,英特爾是率先購買ASML價值3.5億歐元(3.73億美元)High NA EUV設備的廠商之一。這些設備有望幫助縮小晶片設計多達三分之二,但晶片製造商也須權衡這項優勢與更高的成本之間的利弊,以及較舊技術是否能更可信和已經夠好。

英特爾微影主管菲利普斯(Mark Phillips)說:「我們承諾使用這些工具時,也同意價個,若我們對這些工具的成本效益沒信心,我們不會如此」。

英特爾決心率先採用High NA並非偶然。該公司雖幫助開發EUV技術,開始使用首款EUV產品的時間卻晚於台積電,執行長基辛格(Pat Gelsinger)已承認這是一大錯誤。

英特爾反而聚焦於被稱為「多次曝光」(multi-patterning)的技術-基本上是使用解析度較低的微影機器,透過更多步驟達到同等效果。菲利普斯說:「那就是我們遭遇麻煩的時刻。」雖然較舊的深紫外光(DUV)工具成本較低,但複雜的多次曝光卻很耗時間,也導致瑕疵晶片過多,拖慢英特爾的商用化進展。

如今,英特爾已在其最佳晶片的最關鍵環節採用了第一代EUV,菲利普斯表示,轉向High NA EUV設備的過程將更平順,「現在我們有了EUV,我們就會向前看,我們不想重蹈覆轍」,這台位於奧勒岡州Hillsboro園區的設備將在 「今年稍後全面投入運作」。

英特爾計劃運用這台尺寸相當於一台雙層巴士的設備,在2025年開發14A製程世代晶片,2026年早期生產,2027年全面量產。

ASML本周表示,已啟動出貨第二台High NA系統給一家客戶的過程,可能是台積電(2330)或南韓三星電子。這台大型工具的運輸和安裝可能需要長達六個月時間,帶給英特爾先機。

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