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《韓國經濟日報》報導，三星電子目標2025年推出3D DRAM，以便在全球AI半導體市場相關領域中取得領先。目前這塊領域是由SK海力士所主導。
3D DRAM晶片是藉由將單位垂直堆疊的方式，而非水平置放的方式，使得單元面積容量達到三倍。相較下，高頻寬記憶體（HBM）是垂直互聯多個DRAM晶片。
根據首爾半導體產業消息人士周二的說法，三星是在上月於加州聖荷西舉行的全球晶片製造商聚會Memcon 2024會議上公布其3D DRAM的開發藍圖。
報導指出，三星電子計劃在2025年推出基於其垂直管道電晶體技術的初步版本3D DRAM，並計劃在2030年推出堆疊式DRAM，它會把所有單元都堆疊起來。
產業消息人士表示，全球3D DRAM市場規模到了2030年可望成長至1,000億美元。消息人士說，這項技術預期協助三星擊敗SK海力士，目前SK海力士在全球的HBM市場擁有90%市占。
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