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十季首見 三星記憶體庫存少了

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市場需求回暖 晶片部門有望轉盈 HBM良率不佳 擬改採SK海力士技術 拚供貨輝達

三星晶片部門的庫存,在去年底下滑,為十個季度首見,讓外界益發期望,三星記憶體晶片部門有望在今年第1季轉盈。  (美聯社)
三星晶片部門的庫存,在去年底下滑,為十個季度首見,讓外界益發期望,三星記憶體晶片部門有望在今年第1季轉盈。 (美聯社)

本文共921字

經濟日報 編譯陳苓、劉忠勇/綜合外電

記憶體需求回暖,三星電子晶片部門的龐大庫存,在去年底開始減少,為十個季度首見,讓外界益發期望,該公司的記憶體部門有望在本季轉盈。而人工智慧(AI)趨勢爆發,帶動高頻寬記憶體(HBM)需求激增,據傳三星因遲遲吃不到輝達(Nvidia)訂單,決定改採對手SK海力士的生產技術。

韓國每日經濟新聞報導,據三星12日提交的2023年業務報告,負責半導體業務的裝置解決方案(DS)部門,到去年第4季季末為止,庫存資產總計達30.99兆韓元(235.8億美元),為DS部門自2021年第2季起的十季以來,首次出現庫存資產減少。

報導指出,三星減產DRAM和NAND,加上記憶體晶片的需求逐漸復甦,都促成了庫存下滑。

記憶體業從2022年底開始,陷入嚴重低潮,三星DS部門的庫存資產在2022年第2季末,總計為21.51兆韓元,隔年的第2季季末一口氣跳升57%至33.69兆韓元,第3季季末續增至33.73兆韓元,但第4季降至30.99兆韓元。

另外,據路透報導,記憶體大廠SK海力士和美光(Micron)的最新款HBM記憶體,均奪下AI晶片霸主輝達的訂單,三星卻未獲訂單,格外引人注意。

分析師與業界觀察家指出,三星落後的原因之一,是堅持採用非導電膠膜(NCF)的晶片製造技術,導致生產出現問題;SK海力士則改用批量回流模制底部填充(MR-MUF)的方法,來解決NCF弱點。

知情人士指出,三星最近已下單採購,適用於MUF技術的晶片製造設備。他們說:「三星必須想辦法提高HBM良率...採用MUF技術,對三星來說,有點像是放下自尊,追隨SK海力士率先採用的技術」。據悉由於仍需進行更多測試,三星要用MUF量產,可能要等到明年。

多位分析師透露,目前三星的HBM3生產良率約為10%~20%,而SK海力士則高達60%~70%。據悉三星的HBM3至今仍未通過輝達的供貨資格。與此同時,美光上個月加入戰局,宣布最新的HBM3E獲輝達採用。

HBM3和HBM3E是最新款的HBM晶片,目前需求正旺,此種記憶晶片和核心微處理器封裝在一起,可處理生成式AI的龐大數據。

投資人己注意到三星電子在AI晶片競爭中的挫敗,該公司今年股價跌7%,SK海力士和美光股價則分別上漲17%和14%。

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