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南韓媒體報導，三星電子在上周的年度投資人論壇，揭櫫新策略的關鍵字為「GDP」：環繞閘極電晶體（GAA）架構、DRAM及封裝。
綜合韓國經濟日報與韓國每日經濟新聞英文版網站Pulse News報導，三星電子在香港登場的投資人論壇上表示，明年將發表低延遲頻寬（LLW）DRAM記憶體晶片，作為旗艦的下一代晶片，透過增加半導體電路的輸入／輸出（I/O）端子數量，提高數據處理速度與效能，能改善人工智慧（AI）應用的電力效率，比一般DRAM晶片提高70%。這款晶片將嵌入延展實境（extended reality）頭戴裝置等AI設備。
三星電子表示，打算開發其他記憶體晶片新品，包括LPDDR5X，號稱傳輸速度為每秒9.6 GB，每秒頻寬 76.8 GB。三星電子也將開發UFS 4.0 4-Lane，被視為裝有AI模型的智慧手機核心零組件。
三星電子明年也將發表一項先進的3D晶片封裝技術，包括最先進的3.5D封裝，藉由在高頻寬記憶體（HBM）晶片垂直堆疊中央處理器（CPU）和繪圖處理器（GPU）等晶片，提高電子裝置的速度和數據處理能力。
三星電子也將進一步精進3奈米晶片製程技術，以更適合AI應用。三星晶圓代工部門副總裁Jeong Ki-bong宣示，將每兩年提高記憶體晶片效能2.2倍。三星電子也計劃開發一款4奈米加速器晶片。
此外，三星電子也計劃把自家開發的AI模型「Samsung Gauss」，整合到下一代旗艦智慧手機Galaxy S24內。
三星電子目前正與美國特斯拉（Tesla）合作，為Level-5全自駕車輛開發下一代全自駕（FSD）晶片。三星電子最近已延攬曾在字母（Alphabet）旗下Waymo自駕車部門擔任設計主管的YoonJung Ahn，出任執行副總裁，領導設計管理中心。
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