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三星傳下月發表最新3、4奈米製程技術 拚追趕台積電

本文共451字

經濟日報 編譯簡國帆/綜合外電

科技網站Wccf tech指出,為了追趕台積電的全球晶圓代工龍頭地位,三星電子將在6月的超大型積體技術及電路國際會議(VLSI Symposium)發表最新的3奈米製程(SF3)與4奈米製程(SF4X)技術,彰顯其優勢。

三星電子的SF3製程將運用3奈米GAP技術,仰賴環繞閘極電晶體(GAA)架構,但三星卻不會用直接比較和第一代3奈米製程的差異,只聲稱SF3節點效能比第二代4奈米製程SF4快22%,暗示SF3和第一代3奈米製程的差異可能不大。

SF4X是三星電子的第四代4奈米製程技術,聲稱效能比SF4製程提高10%,節能效益改善23%。SF4X製程將和台積電的N4P節點相競爭,並希望槓上台積電的N4X節點;據報導N4P節點技術已被用於量產高通的Snapdragon 8 Gen 3和聯發科的天璣9300等晶片。

三星電子預料不會透露已對這些技術展現興趣的潛在客戶迷單,但也傳言指出,高通可能探索為Snapdragon晶片組取得雙供應來源。超微據傳正和三星電子結盟發展4奈米晶片,但傳言未提及確切節點。

三星電子將在6月發表最新的3奈米製程(SF3)與4奈米製程(SF4X)技術。路透
三星電子將在6月發表最新的3奈米製程(SF3)與4奈米製程(SF4X)技術。路透

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