DDR3記憶體廠迎漲價商機 華邦、鈺創、晶豪科等訂單湧進

繼標準型DRAM、儲存型快閃記憶體（NAND Flash）市況谷底反彈後，DDR3利基型記憶體在國際大廠全力衝刺高頻寬記憶體（HBM）、DDR5等高階應用並空出DDR3市場帶動下，推升DDR3晶片價格短線急漲近一成，本季合約價可望勁揚10%至15%，明年首季持續看俏，華邦（2344）、鈺創、晶豪科等業者近期訂單湧進，開始加大備貨力道，喜迎漲價商機。

法人指出，標準型DRAM與NAND晶片目前都由三星、SK海力士、美光等國際大廠主導，台廠在晶片製造端無法與其抗衡，僅模組廠有望以低價庫存優勢搭上DRAM與NAND晶片市況反彈列車；DDR3製造則是台廠的天下，隨著DDR3跟著漲價，對台灣記憶體業者幫助大。

業界人士分析，帶動此波記憶體市況轉揚的主要動能，在於國際大廠陸續減產的效益發酵，近期隨著產能緊縮，更嚴格控制出貨，完全展現要支撐價格上漲的決心。

另一方面，三星、SK海力士、美光積極跨足AI應用，將主要產能挪到生產高頻寬記憶體、DDR5等高階領域，也讓DDR3市場出現空間，近期客戶端回補庫存以及消費性電子急單報到，研調機構集邦科技（TrendForce）指出，DDR3報價從9月起陸續走揚，DDR3 4Gb至今累計漲幅近一成，DDR3 2Gb累計漲幅則有14%。

合約價方面，集邦預期本季將勁揚10%至15%，明年首季續強，有望再漲5%至10%。

DDR3相關業者均正向看待市況發展。鈺創認為，隨著庫存消化告一段落，「循環谷底已過」，目前逐漸迎向復甦的曙光．正向看待明年全球DRAM市場將迎來顯著成長。

晶豪科方面，該公司不斷推進自家產品的進程，無論在DRAM、Flash以及MCP產品，都持續開發新品，並跨足不同市場，包括加速19奈米DRAM記憶體IC研發、完成28奈米Nand Flash產品量產，另外也研發車規用的利基型記憶體IC產品。

華邦總經理陳沛銘指出，本季營運將優於第3季，看好明年DRAM市況。

供應鏈透露，隨著產業經過逾一年庫存去化，近期終端消費性電子急單大增，帶動DDR3晶片需求噴發，因應客戶需求，華邦、鈺創向載板協力廠備貨量激增，晶豪科投片量也有上升趨勢，顯示市況回溫以及價格反轉之際，業者無不積極備貨迎接盛況。

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