聯電、英特爾合作布局晶圓代工市場 集邦: 應為雙贏

英特爾（Intel）與聯電（UMC）（2303）正式宣布合作開發12奈米製程平台，預計在2027年投入生產，TrendForce 認為，藉由聯電提供多元化技術服務、Intel 提供現成工廠設施，雙方共同營運，應為雙贏局面。

TrendForce 表示，這起合作案，不僅幫助 Intel 銜接由 IDM 轉換至晶圓代工的生意模式，增加製程調度彈性並獲取晶圓代工營運經驗，聯電也不需負擔龐大的資本支出就可靈活運用 FinFET 產能，從成熟製程的競局中另謀生路，同時藉由共同營運 Intel 美國廠區，間接拓展工廠國際分布，分散地緣政治風險，此應為雙贏局面。

TrendForce 指出，為減少廠務設施的額外投資成本，直接銜接現有設備機台，並有效控制整體開發時程，兩家業者針對12nm FinFET 製程的合作案，選擇以 Intel 現有相近製程技術的 Chandler, Arizona Fab22/32為初期合作廠區，轉換後產能維持原有規模，雙方共同持有。

TrendForce 預估，所產生的平均投資金額相較於購置全新機台，可省下逾80%，僅包含設備機台移裝機的廠務二次配管費，以及其相關小型附屬設備等支出。

TrendForce 說明，合作案宣布前，Intel 長期以來以製造 CPU 及 GPU 等核心晶片為主，同時擁先進製程技術，欲積極進入晶圓代工產業，在2021~2022年先後宣布 IDM2.0，及併購高塔半導體（Tower）計畫，但執行受阻。聯電則長期集中投入主力製程28nm及22nm，並有 High Voltage 等特殊技術優勢，但在中國廠挾帶大量資源強勢發展成熟製程的趨勢下，迫使聯電重新思考跨入FinFET世代的必要性，擴產計畫卻又受限於 FinFET 架構的高額投資成本而舉棋不定。

合作案宣布後，聯電在提供12nm技術部分IP協作開發的同時，也會協助 Intel 洽談晶圓代工生意。聯電不僅可利用現成 FinFET 產能而不需攤提龐大的投資成本，又可在中國廠成熟製程的激烈競局當中脫穎而出。Intel 則以提供現有工廠設施，除了可獲得晶圓代工市場經驗，擴大製程彈性及多元性，亦可集中資源於3nm、2nm等更先進的製程開發。

TrendForce 預期，若後續合作順利，Intel 可能考慮未來再將1~2座1Xnm 等級的 FinFET 廠區與聯電共同管理；推測相近製程的 Ireland Fab24、Oregon D1B/D1C 為可能的候選廠區。

不過，做為主要技術IP提供者的聯電，其14nm自2017年至今尚未正式大規模量產，12nm目前也仍在研發階段，預計2026下半年將進入量產；因此雙方的合作量產時程暫訂於2027年，FinFET 架構技術穩定性仍待觀察。

整體而言，TrendForce 認為，在成熟製程深耕多年的聯電，與擁有先進技術的 Intel 共同合作下，雙方除了在10nm等級製程獲得彼此需要的資源，未來在各自專精領域上是否會有更深入的合作值得關注。