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封測大廠力成（ 6239）今（20）日宣布與華邦電簽訂合作意向 書，共同開發 2.5D (CoWoS:Chip on Wafer on Substrate)/3D先進封裝業務。
力成表示，隨著人工智慧技術的蓬勃發展，市場對於寬頻及高速運算的需求急遽上升，進而帶動對先進封裝及異 質整合的強烈需求。力成科技作為業界的領先者，堅定決心投入並引領這場技術浪潮。這項戰略合作 旨在滿足市場對 2.5D CoWoS及 3D 先進封裝的強烈需求並超越客戶期待。
力成強調，與華邦電的合作方式，將採由力成提供所需的2.5D 及 3D先進封裝服務，包括但不限於 Chip on Wafer、凸塊(Bumping)及矽穿孔(TSV, Through Silicon Via) via-reveal 封裝等，力成科技將優先推薦客戶使用華邦電的矽中介層(Silicon-Interposer)及其他產品，包括動態隨機存取記憶體(DRAM)及快 閃記憶體(Flash)等以完成前述之先進封裝服務，進而達成異質整合以滿足市場對高寬頻及高效能運算 的服務需求。
華邦電則表強，該公司嶄新一代的矽中介層技術，是其在開發 CUBE DRAM 系列的伴隨產品，不僅實現高效能AI 邊 緣運算，更結合了力成科技在 2.5D 和 3D 的異質整合封裝技術。這不僅強化了產品之高寬頻性能，還 降低了資料傳輸所需的電力，從而迎合 AI 時代對高速運算及低耗能的期望和需求。
力成和華邦電透過全面的上下游整合服務，將能夠為客戶提供更多異質整合方案，以促進 AI 技 術的發展，進而引領 AI 邊緣運算領域的迅速蓬勃發展。
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