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晶片巨人英特爾(Intel)積極投入先進製程研發,也同步進擊先進封裝領域,正在馬來西亞檳城興建最新的封裝廠,強化2.5D/3D封裝布局版圖。該公司表示,規畫到2025年時,其3D Foveros封裝的產能將增加四倍。
英特爾副總裁Robin Martin於今(22)日在檳城受訪時也透露,未來檳城新廠將會成為該公司最大的3D先進封裝據點。
台積電(2330)3D Fabric先進封裝包括InFo、CoWoS與SoIC方案,三星也發展I-cube、X-Cube 等封裝技術,而英特爾的先進封裝則包括2.5D EMIB與3D Foveros方案。半導體三雄的競爭態勢從晶圓代工領域,一路延伸至先進封裝方面。
英特爾沒有透露現階段其3D Foveros封裝的總產能,但表示除了在美國奧勒岡州有相關研發與產能之外,在新墨西哥州及未來的檳城新廠,這3個據點的3D先進封裝產能相加,將於2025年時增為目前的四倍。
英特爾在2年前已宣布,投資35億美元擴充新墨西哥州的先進封裝產能,目前也仍進行中。至於檳城新廠,該公司表示,興建進度符合計畫,但沒有進一步透露確切落成時程。外界則推估,2024年稍晚或2025年都是可能的時間點。
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