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日本於5月23日祭出23項半導體設備出口管制措施，並於昨（23）日正式實施。DIGITIMES研究中心指出，日本出口管制雖包含黃光、蝕刻、薄膜、熱處理、清洗、檢測等半導體重點製程，但以微影設備或涉及先進製程相關的薄膜沉積設備較可能執行管制，此舉將不利中國大陸半導體先進製程布局。
中國大陸自美、日、荷進口半導體設備金額占比合計逾6成，因此，美國與日、荷聯手將能更有效牽制中國大陸半導體產業發展。美國與日本、荷蘭在今年1月底達成半導體設備出口管制協議，並促使日本祭出半導體設備出口管制政策。
DIGITIMES研究中心分析師賴琇菱表示，日本出口管制近半與薄膜製程設備有關，該類設備牽涉製程廣泛，因此，先進製程部分沉積設備、原子層沉積(Atomic Layer Deposition；ALD)設備、多重曝光(multi-patterning)所需的硬質光罩沉積設備等將優先進行出口管控。
關於微影設備出口管制部分，賴琇菱提指出，浸潤式DUV微影設備出口恐受影響；而日本無EUV微影設備，因此，管制將鎖定EUV光罩沉積設備、EUV製程塗布及顯影相關設備，以及檢測EUV設備的空白光罩或可曝光光罩的檢測設備等。
賴琇菱表示，日本這項措施不只在EUV周邊配套設備上對中國大陸產生箝制，目前日本是中國大陸半導體設備的最大進口來源，佔中國大陸的半導體設備進口金額的3成比重，這項管制措施被視為日本明確表態與美國、荷蘭站在同一陣營的表現。
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