台積電上海技術論壇 宣布汽車和射頻最新製程

在結束美洲、歐洲、台灣等地的年度技術論壇之後，台積電（2330）21日在上海召開年度技術論壇。對於此次上海論壇的內容，除了宣布將推出面向汽車的N3AE和N3A製程，以及面向射頻的N4PRF製程之外，與之前的海外技術論壇內容相近。

芯智訊分析，此次台積電上海技術論壇的召開，以及傳聞台積電總裁魏哲家，在會後帶隊拜訪大陸客戶，目的是為了進一步加強與境內廠商的合作，降低如美國新規等外在因素對於台積電與境內客戶之間正常合作的影響。

即明確對於在非實體清單內的國內客戶可以不受影響的正常代工合作，也就是說目前台積電最先進的3nm代工都不會受到影響。

目前境內已經有若干客戶在採用台積電3nm工藝代工。不過，未來涉及GAA的制程可能存在影響。因為美方有限制GAA相關EDA。

對於台積電來說，在半導體行業下行週期之下，加強與大陸廠商合作，也有望幫助台積電提升產能利用率和維持毛利率。

報導提到，由於論壇不對媒體開放，根據台積電官方僅提供的資料，內容提到，台積電認為隨著 AI、5G 和其他先進工藝技術的發展，全球正通過智慧邊緣網路產生大量的運算工作負載，因此需要更快、更節能的晶片來滿足此需求。

預計到2030年，因需求激增，全球半導體市場將達到約 1萬億 美元規模，其中高性能計算（HPC）相關應用占 40%、智慧手機占 30%、汽車占 15%、物聯網占10%。

N3是台積電3nm最初版本，號稱對比N5同等功耗性能提升10到15%、同等性能功耗降低25到30%，邏輯密度達提升了70%，SRAM 密度提升了20%，類比密度提升了10%。

但是 SRAM 密度僅5%的提升，意味著 SRAM設計複雜度會增加，導致成本成本顯著增加。並且N3的良率和金屬堆疊性能也很差。因此N3的實際的性能、功耗、量產良率和進度等都未能達到預期。於是有了今年的增強版的N3E。據悉，N3E修復了N3上的各種缺陷，設計指標也有所放寬，對比N5同等功耗性能提升15到20%、同等性能功耗降低30到35%，邏輯密度約1.6倍（相比原計劃的N3有所降低），晶片密度約1.3倍。

根據台積電最新披露的資料顯示，N3E相比N3將帶來5%左右的性能提升；而後續的N3P相比N3E則將帶來4%的密度提升，10%的性能提升；N3X相比N3P將帶來4%的密度提升，15%的性能提升。

隨著汽車產業向自動駕駛方向發展，運算需求正在快速增加，且需要最先進的邏輯技術。到 2030 年，台積電預計 90% 的汽車將具備先進駕駛輔助系統（ADAS），其中 L1、L2 和 L2+/L3 將有望分別達到 30% 的市場占有率。

在過去三年，台積電推出了汽車設計實現平台（ADEP），透過提供領先業界、Grade 1 品質認證的 N7A 和 N5A 工藝來實現客戶在汽車領域的創新。為了讓客戶在技術成熟前就能預先進行汽車產品設計，台積電推出了 AutoEarly，作為提前啟動產品設計並縮短上市時間的墊腳石。

論壇由台積電總裁魏哲家、台積電中國總經理羅鎮球領銜，台積電業務開發暨海外運營辦公室資深副總張曉強、歐亞業務及技術研究資深副總侯永清也都有出席。