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旺宏與南亞科111年度營業報告書，全球政經環境仍充滿不確定性，記憶體產業也在景氣循環的低谷中等待復甦，預期短期記憶體市況仍具挑戰，兩公司皆計劃加速研發，以強化競爭力。
旺宏指出，面對大環境嚴苛的考驗，經營團隊將審時度勢的機動調整產能運用與資本支出；並加速研發以強化國際競爭力，持續拓展相對穩定的高品質應用市場，加速提升車用產品的營收比重，進一步邁向全球車用編碼型快閃記憶體（NOR Flash）領先地位。
南亞科表示，動態隨機存取記憶體（DRAM）市況短期間仍充滿挑戰，但預期今年下半年有機會逐步恢復供需平衡。南亞科將投入更多的研發資源，加速開發10奈米級製程技術與新世代DDR5的產品，提升競爭力。
南亞科指出，今年將持續推展現有各產品線業務，並新增獨立自主開發的DDR5及10奈米第一世代（1A）製程產線。為厚植長期競爭力，今年計劃完成10奈米第二世代（1B）製程的第一顆產品試產，及10奈米第三世代（1C）的製程測試，113年起，逐步於現有廠房導入1B量產及1C試產。
南亞科並表示，新廠營建將如期進行，115年起，視市場需求導入製程設備。
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