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全球記憶體晶片龍頭三星電子已經擬定策略，要將儲存型快閃記憶體（NAND）價格逐季調漲20%，直到2024年第2季。此舉是三星努力穩定NAND價格，目標在明年上半年逆轉市場的行動。
根據南韓媒體Pulse引述半導體產業多位消息人士的說法報導，三星電子決定在明年第1季與第2季將NAND價格調漲20%，接續在今年第4季漲價10%至20%的調漲行動。
NAND和DRAM占了三星電子約半數的記憶體晶片銷售。儘管DRAM報價近期已有回升趨勢，但NAND價格依然低迷。
Pulse的報導指出，三星電子計劃透過積極調漲價格，配合減產，以便恢復獲利能力。
三星電子執行副總裁金在俊（Kim Jae-joon，音譯）在周二（10月31日）的財報會議上表示：「NAND的減產將以比DRAM目前相對更大的規模進行。」
三星電子也已宣布更積極投入蓬勃發展的高頻寬記憶體（HBM）市場。
金在俊說：「我們預期擴大生產HBM3和HBM3E。我們計劃2024年的HBM供應量能將是今年的逾2.5倍。」
他說，三星電子已經與主要客戶就產量完成供應協商。
除了記憶體外，三星電子也尋求晶圓代工事業明年業績回升。該公司晶圓代工事業在今年第3季虧損超過5,000億韓元（3.698億美元）。儘管疲軟的表現是因為產線利用率減少，但獲得了迄今最大的單季訂單額。
券商預估三星電子的表現將從今年第4季開始大幅改善。DB金融投資分析師徐升妍（音譯）表示：「由於第4季需求增加，包括DRAM在內，半導體產業表現預期會大幅提升。」
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