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印媒:印度修改半導體獎勵 鴻海吠檀多重新申請

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中央社 記者林行健新德里29日專電

印度媒體報導,鴻海集團與印度吠檀多集團(Vedanta Group)組成的合資公司,已依印度政府新訂的條件,重新提交半導體生產計畫。

印度快報(Indian Express)28日報導,吠檀多集團在一份聲明中表示已依新的條件遞交申請書。

報導並引述印度電子暨資訊科技部消息人士報導,這家合資公司原本規畫設立28奈米晶片廠,新的計畫書則要改成40奈米。

稍早前,印度電子暨資訊科技部長衛士納(AshwiniVaishnaw)在一次電視訪問中透露,半導體技術日新月異,因此印度政府也修訂了廠商申請設廠的評估條件,並要求之前的所有申請者重新提交計畫書。

印度快報報導,印度政府2021年12月推出100億美元的「印度半導體任務」(ISM)計畫,為投資生產半導體的廠商提供近50%的補助與獎勵,迄今只有3家集團提出申請。

3家集團是:阿拉伯聯合大公國Next Orbit Ventures與以色列Tower Semiconductor合資成立的ISMC;總部位在新加坡的IGSS Ventures;以及鴻海與吠檀多集團成立的合資公司。

報導說,這3家公司都因各自的問題,在申請設廠及獎勵的過程中,遭遇阻礙。

印度快報指出,鴻海與吠檀多集團成立的合資公司於2022年1月申請設立28奈米晶片廠,但無法證明具備相關技術。若新的40奈米廠申請通過,則設廠成本估計在35億至40億美元之間,較28奈米製程便宜一半。

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