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美光:AI讓記憶體潛力無窮 台中四廠將領先全球量產高頻寬晶片

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台中四廠啟用 CEO梅羅塔強調將串聯先進製造、探測與封測能量 領先全球量產高頻寬晶片

美光執行長梅羅塔。  記者黃仲裕╱攝影
美光執行長梅羅塔。 記者黃仲裕╱攝影

本文共952字

經濟日報 記者李孟珊/台中報導

全球第三大DRAM廠美光執行長梅羅塔昨(6)日表示,AI時代來臨,需要強大的記憶體支援,看好AI將讓記憶體後市潛力無窮,並扮演AI蓬勃發展的要角。美光將在台灣串聯先進製造、探測與封裝測試能量,生產旗下支援AI應用、最先進的高頻寬記憶體(HBM)。

美光是台灣最大外商,在台累計投資超過300億美元(逾新台幣9,400億元),昨天舉行台中四廠啟用典禮,梅羅塔親自出席,顯示對台灣與新廠的重視。梅羅塔宣布美光要在台灣生產旗下最先進的AI用高頻寬記憶體,讓台灣在全球記憶體製造的地位更形重要。

美光並未透露台中四廠投資金額。梅羅塔強調,AI無所不包,但若少了記憶體,全球就沒有辦法運作AI。受惠於AI運用蓬勃發展,為記憶體產業帶來很好的新機會。

美光執行長梅羅塔談話重點
美光執行長梅羅塔談話重點

梅羅塔說,美光新啟用的台中四廠除了整合先進封裝測試,未來也會領先全球量產旗下為AI應用打造的、最先進的高頻寬記憶體「HBM3E」。

他強調,即便美光在高頻寬記憶體開發腳步比較晚,可是經過和夥伴、客戶密切合作後,美光已能做到八層DRAM堆疊的高頻寬記憶體,厚度僅為人類頭髮的一半,頻寬可達24GB。

梅羅塔並盛讚台灣為美光帶來的優勢,強調美光在記憶體技術享有龍頭地位,都要歸功於台中、桃園廠所做的努力,另外,除了客戶正在打造從雲端一路到邊緣運算的產品,美光也在自己的工廠部署智慧製造的應用,將能更快推出最新的科技。

美光副總裁暨先進封裝主管辛赫補充,美光的HBM3E產品,是以旗下1-beta製程製造,為領先三星和SK海力士的最先進製程,並且具備最先進的TSV穿孔技術,且矽穿孔的穿孔間距是業界最小,有助散熱,充分說明美光在業界的競爭優勢。

台灣美光董事長盧東暉透露,台中四廠的工廠設計改了好幾次,並在疫情期間持續建造,正逢旗下HBM3E產品產能擴增,隨著產業景氣周期逐漸恢復,加上高頻寬記憶體業務持續擴展,台灣美光也開始研究要增加員工。

談到記憶體產業景氣,盧東暉預期可望非常快速復甦。美光看好台中四廠除了加速推動公司部署領先DRAM技術外,對於日本及台灣擴大1-beta 製程、HBM3E產能,以及2025年採用極紫外光(EUV)技術量產1-gamma製程都發揮關鍵作用。


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