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近年來，受惠人工智慧、5G等需求推升，加上邊緣運算擴大應用，使得具備低延遲、低洩漏、高寫入週期計次和長久保存性四大特性的MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）成為市場新焦點，吸引英特爾、三星、台積電（2330）等全球指標性大廠積極搶進卡位。
被看好是下世代通用型記憶體的主流
業界分析，MRAM具有真正的隨機存取功能，因此可在記憶體中隨機讀取和寫入，進一步來看，在寫入次數上，MRAM與DRAM及SRAM一樣，都可寫入無限次的記憶；在耗電表現方面，MRAM較SRAM具有較低耗電的優點；在製程上，MRAM金屬底層是以CMOS Logic製程完成，比DRAM的製程技術簡單。
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