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HBM明年需求倍增 集邦:產值占DRAM比重將突破3成

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中央社 記者張建中新竹6日電

市調機構集邦科技預期,高頻寬記憶體(HBM)位元需求可望高度成長,今年將增加近200%,2025年再進一步倍增,HBM產值占動態隨機存取記憶體(DRAM)比重有機會突破3成。

集邦科技今天發布新聞稿,說明HBM最新市況,資深研究副總經理吳雅婷指出,HBM銷售單價較傳統DRAM高出數倍,與DDR5規格DRAM價差約5倍。

吳雅婷表示,隨著AI晶片新產品不斷推出,HBM單機搭載容量擴增,HBM產能及產值占DRAM比重向上攀升。

集邦科技預估,2024年HBM位元需求年增近200%,2025年可望再倍增。2024年HBM產能占DRAM比重約5%,2025年將逾10%。2024年HBM產值占DRAM比重將超過20%,2025年有機會進一步突破3成。

吳雅婷說,因產能受限,HBM供應商提早於今年第2季開始針對2025年展開議價,初步漲價5%至10%,買方對於AI需求展望具高度信心,願意接受漲價。

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