艾司摩爾新EUV三雄搶買 台積、三星機台最快2026到位
半導體設備大廠艾司摩爾(ASML)秀出價值高達3.5億歐元(約合新台幣118.09億元)的High NA極紫外光(EUV)曝光機設備,除了英特爾率先取得設備之外,台積電(2330)及三星訂購的新機台預計最快2026年陸續到位,屆時High NA EUV機台可望成為全球三大晶圓製造廠搶進2奈米以下先進製程的必備武器。
外媒報導,艾斯摩爾近期對外秀出High NA EUV曝光機設備,一台要價3.5億歐元,大小等同於一台雙層巴士,重量更高達150公噸,相較於兩架空中巴士A320客機,裝機時間推估需要六個月,並需要250個貨箱、250名工程人員才能安裝完成,不僅價格高昂又相當耗時。
英特爾早在去年12月已先行拿下一台High NA EUV曝光機設備,不過,英特爾原預期將該曝光機設備導入在自家18A的先進製程量產,不過,日前英特爾執行長基辛格(Pat Gelsinger)宣布,不會在18A製程採用High NA EUV量產,代表暫時延後採用High NA EUV曝光機設備。
至於台積電、三星等晶圓代工大廠在High NA EUV設備機台採購上,腳步則慢於英特爾。業界指出,由於High NA EUV曝光機價格是當前EUV曝光機的兩倍,代表生產成本將大幅增加,由於明年即將量產的2奈米晶圓售價仍未大幅增加,成為台積電、三星不急於導入High NA EUV曝光機台的關鍵。
業界人士推測,台積電預計最快在1.4奈米(A14)才導入High NA EUV曝光機台,代表2025年才可望有採購設備的消息傳出,若按照台積電先前對外釋出的1.4奈米量產時間將落在2027年至2028年計畫下,台積電的High NA EUV曝光機台交貨時間可能落在2026年開始陸續交機。
不過,可以確定的是,艾司摩爾的High NA EUV曝光機台已成為英特爾、台積電及三星等晶圓製造大廠進軍2奈米以下先進製程的必備武器,僅是大量採用的時間先後順序差別。
事實上,進入7奈米以下後,台積電就開始導入EUV曝光機設備,原因在於光罩曝光層數大幅增加,在至少20層以上的重複曝光需求下,孔徑重複對準的精準度要求愈來愈高,讓EUV曝光機成為必備設備,不僅提高良率,也能降低生產成本。
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