三星西安NAND Flash廠 啟動升級

首爾經濟日報報導，三星在獲得美國允許，無限期豁免於美國對大陸實施的半導體設備出口限制措施後，開始展開旗下位於大陸西安的儲存型快閃記憶體（NAND Flash）工廠升級計畫，目標量產當下業界堆疊層數最高、達236層的NAND晶片，大秀技術肌肉，也牽動NAND市場後續動態。

報導引述消息人士談話指出，三星已經下了設備採購訂單，西安廠預期今年年底前就會接收到設備。目前三星西安廠主要生產128層NAND晶片。

三星決定升級西安廠的另一原因，則是要促成自然的產量減少，以便重新平衡市場的供需情勢，因為236層的第八代NAND晶片產量比128層的第六代NAND晶片產量少了30%，主要是第八代的製程比第六代多了更多製程步驟，惟整體位元成長（Bit Growth）量應該也會比前一代產品大幅提升。