台積電次世代記憶體大突破 力旺、M31擁技術跟著旺
台積電(2330)在次世代記憶體MRAM技術傳出重大突破,業界看好在台積電登高一呼,將助攻主要晶圓代工大廠開始加快導入新一代MRAM技術,讓擁有MRAM相關資源的矽智財(IP)廠跟著旺,台廠當中,力旺、M31都握有MRAM矽智財技術並有實績,將跟著旺。
力旺過去在MRAM市場已開發出可應用在22奈米製程的嵌入式MRAM,鎖定車用晶片市場,且未來由於車用晶片在先進駕駛輔助系統(ADAS)規格都需要持續提升,代表運算速度需求將更快,在MRAM具備高速存取及更小晶片尺存的特性下,力旺後續將持續大啖嵌入式MRAM商機。
力旺先前指出,28奈米製程以下若採用傳統的eFlash製程作為嵌入式記憶體,將會使生產成本大幅拉高及晶片微縮難度增加等問題,MRAM具備耐高溫特性,而且又不會影響MRAM當中的磁性,因此讓車用晶片廠開始逐步轉進MRAM,取代過去常使用的eFlash製程。
M31也在MRAM矽智財研發投入數年時間,隨著AI、高效能運算(HPC)等相關商機持續帶動MRAM市場需求提升,M31未來在矽智財產品到位後,將可望順勢進軍這塊市場,搶占AI、高效能運算帶來的MRAM市場大餅,推動業績再度攻高。
業界分析,由於SOT-MRAM具備斷電可保存資料特性,未來也有機會逐步取代當前使用的eFlash製程,作為嵌入式記憶體的新選擇。
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