英特爾擴大3D封裝產能 2025年將增為四倍

晶片巨人英特爾（Intel）積極投入先進製程研發，也同步進擊先進封裝領域，正在馬來西亞檳城興建最新的封裝廠，強化2.5D／3D封裝布局版圖。該公司表示，規畫到2025年時，其3D Foveros封裝的產能將增加四倍。

英特爾副總裁Robin Martin於今（22）日在檳城受訪時也透露，未來檳城新廠將會成為該公司最大的3D先進封裝據點。

台積電（2330）3D Fabric先進封裝包括InFo、CoWoS與SoIC方案，三星也發展I-cube、X-Cube 等封裝技術，而英特爾的先進封裝則包括2.5D EMIB與3D Foveros方案。半導體三雄的競爭態勢從晶圓代工領域，一路延伸至先進封裝方面。

英特爾沒有透露現階段其3D Foveros封裝的總產能，但表示除了在美國奧勒岡州有相關研發與產能之外，在新墨西哥州及未來的檳城新廠，這3個據點的3D先進封裝產能相加，將於2025年時增為目前的四倍。

英特爾在2年前已宣布，投資35億美元擴充新墨西哥州的先進封裝產能，目前也仍進行中。至於檳城新廠，該公司表示，興建進度符合計畫，但沒有進一步透露確切落成時程。外界則推估，2024年稍晚或2025年都是可能的時間點。