積凱超低間隙助焊劑清洗平台　提升 HBM、CoWoS 與 TGV 量產品質

AI與高效能運算（HPC）快速成長，帶動HBM、CoWoS與TGV等先進封裝技術加速導入量產。但隨著封裝結構高度堆疊、晶片間隙持續縮小，助焊劑殘留於超低間隙（Ultra-Low Gap）內引發的可靠度風險，成為先進封裝製程中的關鍵痛點。

深耕先進濕製程設備超過十年的積凱科技（GKCtech），針對先進封裝低間隙殘留問題，近日發表新一代以傳輸導向清洗為核心架構的超低間隙助焊劑清洗平台。該平台不同於傳統仰賴高壓或長時間浸泡的清洗方式，能在不繞過既有製程流程的前提下，建立具備可控性、可靠度與量產穩定性的清洗解決方案。

多項內部驗證顯示，該平台在多層堆疊結構中具備穩定的清洗表現與製程彈性，可應用於HBM、CoWoS及TGV研磨後清洗等高精密、傳輸受限的先進製程場景。

積凱科技總經理徐慶吉指出，超低間隙內的助焊劑殘留極難有效清除，部分製程實務上，可能因清洗困難而採取替代結構或額外製程來降低殘留風險。然而，這類權宜作法往往導致製程流程拉長、變異性提高，反而在可靠度、重複性與整體風險控管上形成新的隱憂。

助焊劑在先進封裝中具有關鍵角色，用於去除金屬氧化物、改善潤濕行為並確保接合品質；但當製程完成後，若殘留於超低間隙結構內的助焊劑未能有效排除，將可能引發電性漏電、電化學遷移（ECM）、腐蝕，甚至造成長期失效風險。

目前業界多半透過提高壓力或延長浸泡時間，嘗試彌補流體在超低間隙中傳輸受限的問題。但在實際量產環境，往往面臨製程窗口狹窄、對封裝差異高度敏感，以及重複性不足等限制，難以同時兼顧可靠度與產能需求。積凱對此提出以傳輸機制為核心的低間隙清洗解決方案（Transport-Oriented Low-Gap Cleaning Architecture），並非單點式地強化化學或壓力條件，而是透過整體系統設計，串聯殘留物調理、有效傳輸與最終排除三個關鍵階段。

在前段製程中，積凱與化學藥水夥伴合作，透過浸潤與調理機制，降低助焊劑殘留物的附著與內聚強度；中段則藉由自主開發的Rainstorm模組，在符合超低間隙幾何限制的條件下，提供穩定且可控制的動量傳輸，將殘留物自受限區域中有效帶離；最後透過專屬的Final Clean製程，確保已被移出的殘留物不再回沉，建立穩定且可量產的潔淨狀態。

徐慶吉強調，先進封裝真正的挑戰，不在於結構是否能做得更密，而在於是否能穩定、可重複地處理超低間隙中的隱性風險，並滿足量產條件。製程若因清洗困難而被迫繞行，並非長期健康發展的方向。有效的超低間隙清洗，不僅是依賴更強的藥水或更高的壓力，更取決於殘留物是否能在整個清洗流程中被持續動員、有效傳輸並確實排出。

積凱科技專注於先進濕製程與高精密清洗技術，透過工程導向的創新設計，協助客戶因應先進封裝與高可靠度製程需求，推動次世代半導體製造技術順利導入量產。未來也將持續攜手化學品供應商，與先進封裝客戶共同進行製程優化，並誠摯邀請客戶提供樣品進行實機驗證，聚焦可靠度指標評估，而非僅止於外觀潔淨度，為下一世代量產製程建立更穩健的基礎。