分子尼奧 專攻NIL半導體晶圓代工

科技日新月異，新創企業不斷冒出頭，引領產業版圖持續改變。誰是當紅炸子雞，什麼又會是最具前景的潛力股，市場討論熱度不墜。去年至今，AI無疑是最熱門的關鍵字，各行各業跟進導入，彷彿與此沾上邊就能升天；其次是半導體，台積電挾先進製程優勢受到國際大廠追捧，全球布局加上加碼千億美元大投資，供應鏈受惠的程度深具想像空間。

複合式解方 填補傳統技術落差

分子尼奧科技（Quantum NIL Corporation；QNIL）專攻奈米壓印技術（NIL），是下世代明星產業，2022年由執行長林仲相創立，主力提供晶圓級化合物半導體材料與超穎光學（Metalens）的高階圖案製程代工。林仲相擁有紐約大學物理學博士學位，光電半導體界經驗超過20年，曾擔任英國IQE公司奈米壓印事業群及洲磊科技總經理。早在2007年，帶領的團隊就是NIL商業化領域的先驅，持續多年推動技術與傳統曝光技術整合，以獨特的複合式NIL（hybrid NIL）解決方案，填補NIL與傳統曝光技術間的應用落差。從技術及應用面來看，都與未來AI及半導體直接相關，並非攀附熱門。

林仲相表示，NIL起自1990年代，屬於物理性機械壓印複製技術，可將奈米結構圖案壓印在基板上，解析度達10nm以下，具有低生產成本、低耗能，高製程靈活性，對材料類型與規格較不敏感等優點。當前AI技術一日千里，AI的架構設計呈現高度複雜且類隨機，現有曝光技術逐漸難以勝任，傳統矽基半導體的製程設計套件（PDK）必須重新調整。隨著AI算力的大幅提升，量少樣多的異質整合設計方案，將提供化合物半導體及量子科技發展的絕佳機會。

生產彈性優勢 量子產業製程助力

量子廣域態行為的描述具有疊加（superposition）與糾纏（entanglement）狀態。量子元件的材料可以是矽半導體、超導體，也可以是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。NIL的生產彈性優勢，是量子產業的重要技術，具有不受傳統曝光繞射限制的特性，為實現多樣AI設計元件、系統整合與性能優化的重要製造解方。

台積電及晶片大廠持續突破矽半導體製造極限，極紫外光曝光（EUV）技術已實現12吋矽晶圓、2nm以下製程，推動半導體微縮技術登上新台階，但也面臨EUV製造成本高、能耗大及對矽基板要求嚴苛等挑戰。林仲相表示，在高階半導體設備需具大規模應用，伴隨大面積製程均勻性、高精度對準、材料相容性與設備整合的挑戰；在異質材料整合的靈活性會受限，並進而限制多樣化半導體應用元件的擴展性。但隨著NIL技術進步及與矽半導體整合加速進行，凸顯在未來半導體製造發展的重要性，將塑造量子相關元件應用的新未來。

林仲相看好新一代雷射光子晶體面射型雷射（PCSEL）前景，透過光子晶體結構，取得高功率、高系統效率且單模運行的特性。較傳統VCSEL和邊射型雷射，具備更優異的光束品質、大面積發光及高度可擴展性，為LiDAR、光通信與AR／VR顯示的重要技術。NIL可將奈米級圖案實現在PCSEL上，以亞波長精度精確製作光子晶體圖案，生產 PCSEL具高成本效益，推動次世代雷射技術發展。

加速技術創新 確立NIL領先地位

分子尼奧致力將NIL技術應用於化合物半導體異質整合與量子科技，打造具備高速數據通信雷射、矽光晶片及微／奈米結構基板、超穎光學及量子光學元件、生物醫學晶片等多功能化合物半導體產品製造平台，助力AI發展與量子科技持續創新。發展策略是，持續與Tier1企業及領先研究機構合作，聚焦於新世代數據通信、量子光子學與自動化感測等高價值應用。透過AI優化製程，結合機器深度學習增強多元製程控制，提升NIL在半導體與光子元件製造的採用率。此外，也同步開發次世代多功能製程設計套件（PDK），推動NIL在量子科技的應用，確立公司在NIL商業化的領先地位，加速AI、量子計算、量子感測與次世代光子的技術創新。

談到創業，林仲相表示，投資設備、建立產線以取得訂單與市場，但若無法在產品與市場取得差異化，將會走向資本產能化的有機競爭。在台灣現有的創業氛圍下，分子尼奧選擇創趨勢與品牌，「不做Me Too」，努力專注走出自己的路。去年6月，AIT美國在台協會舉辦量子及光電美國參訪行程，國內多家業者應邀至科羅拉多、蒙大拿等美國量子產業聚落進行交流，顯示台灣的科技實力有助於量子技術應用落地，受到國際重現，分子尼奧也在之列。據了解，該次參訪單位以學界與研究機構為主，並與州政府建立合作管道。