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瀚柏獲韓大廠E&I獨家代理權

提要

搭上台廠擴廠熱潮 設備商機長期看旺 布局第三代半導體爆量需求

本文共877字

經濟日報 曹佳榮

搭上台廠擴廠熱潮 設備商機長期看旺 布局第三代半導體爆量需求

因應高階的高壓功率元件以及高頻通訊元件領域(電動車、車用電子領域)應用攀升,加上...
因應高階的高壓功率元件以及高頻通訊元件領域(電動車、車用電子領域)應用攀升,加上第三代半導體GaN氮化鎵後勢看漲,瀚柏獨家代理韓國大廠E&i Solutions高溫磊晶機以應對大量半導體製造需求。 瀚柏/提供

因應台灣半導體設備商擴廠需求熱潮,設備商機長期看旺,瀚柏科技與合作夥伴韓國CrystalPeople公司日前取得高溫磊晶機領導品牌E&I Solutions在中國以及台灣地區獨家代理權,其 MOCVD磊晶設備可應用於Si(矽)基板上生長GaN(氮化鎵)或SiC(碳化矽)基板上生長GaN (氮化鎵)材料。

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瀚柏科技表示,MOCVD磊晶設備主要應用氮化鎵(GaN)在異質介面的基板上進行長晶時,需要以AlN(氮化鋁)做為緩衝層,來銜接氮化鎵的生長,現行市場上的MOCVD其生長溫度均為1200度,相對於AlN(氮化鋁)緩衝層 生長速度緩慢,其生長厚度大約在(2000A)0.2um左右。但200U型的設計在於其操作溫度為1400℃,在1400℃的高溫環境下,AlN(氮化鋁)的生長速度較快(2~3 um/hr)可得到2~3um厚度的緩衝層。厚度較厚的緩衝層,在材料上一可以得到較高的能階。而且Si(矽)上GaN(氮化鎵)或SiC(碳化矽)上GaN (氮化鎵)的應用上,厚度較厚的 AlN(氮化鋁)緩衝層,對於在異質介面上生長氮化鎵其長晶結構會更穩定。

該公司認為,近年來GaN(氮化鎵)功率器件已是新一代功率元器件的半導體材料,物理性能優異,其高頻特性使其在低耐壓領域的應用日益廣泛。更為半導體產業注入大幅成長動能,加上市場應用長期看漲,使得設備與材料市場需求大增。

此外,瀚柏科技在半導體設備領域深耕多年,著重兩大領域,一是磊晶設備MOCVD,除了銷售德國愛斯強AIXTRON(法蘭克福上市)、美國威科儀器 VEECO(納斯達克上市)兩大國際知名品牌之外,還攜手韓國夥伴成功獲得E&I Solutions在中國以及台灣地區獨家代理權,希望在GaN氮化鎵磊晶生長技術上,用更專業的角度與思維,提供客戶更多不同的選擇;其二是半導體製程設備(黃光/薄膜/蝕刻/沉積)等,全方面滿足客戶可持續發展的解決方案。



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