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安森美推出全新650 V碳化矽 (SiC) MOSFET

2021-02-18 12:08經濟日報 金萊萊

推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor)推出一系列新的碳化矽 (SiC) MOSFET裝置,適用於功率密度、能效和可靠性要求極高的相關應用。設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術,將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、伺服器電源(PSU)、電信和不斷電供應系統(UPS)等應用中實現顯著的更佳性能。

新的SiC MOSFET比同等的矽開關技術顯著提高性能。 安森美半導體/提供
新的SiC MOSFET比同等的矽開關技術顯著提高性能。 安森美半導體/提供

該公司資深副總裁Asif Jakwani表示,在現代電源應用中,如電動汽車(EV)車載充電器(OBC)和可再生能源、企業運算及電信等其他應用,高能效、可靠性和功率密度是設計人員一直面臨的挑戰。這些新的SiC MOSFET比同等的矽開關技術顯著提高性能,使工程師能夠滿足這些具有挑戰性的設計目標。增強的性能降低損耗,從而提高能效,減少熱管理需求,並降低電磁干擾(EMI)。使用這些新的SiC MOSFET的最終結果是更小、更輕、更高效和更可靠的電源方案。新裝置均為表面貼裝,並提供產業標準封裝類型,包括TO247和D2PAK。

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該公司表示,新一代SiC MOSFET採用新穎的有源單元設計,結合先進的薄晶圓技術,可在650 V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數Rsp (Rdson * area)。這技術還優化能量損失品質因數,從而優化汽車和工業應用中的性能。

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