安森美推出全新650 V碳化矽 (SiC) MOSFET
推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor)推出一系列新的碳化矽 (SiC) MOSFET裝置，適用於功率密度、能效和可靠性要求極高的相關應用。設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術，將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、伺服器電源(PSU)、電信和不斷電供應系統(UPS)等應用中實現顯著的更佳性能。
該公司資深副總裁Asif Jakwani表示，在現代電源應用中，如電動汽車(EV)車載充電器(OBC)和可再生能源、企業運算及電信等其他應用，高能效、可靠性和功率密度是設計人員一直面臨的挑戰。這些新的SiC MOSFET比同等的矽開關技術顯著提高性能，使工程師能夠滿足這些具有挑戰性的設計目標。增強的性能降低損耗，從而提高能效，減少熱管理需求，並降低電磁干擾(EMI)。使用這些新的SiC MOSFET的最終結果是更小、更輕、更高效和更可靠的電源方案。新裝置均為表面貼裝，並提供產業標準封裝類型，包括TO247和D2PAK。
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該公司表示，新一代SiC MOSFET採用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，可在650 V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數Rsp (Rdson * area)。這技術還優化能量損失品質因數，從而優化汽車和工業應用中的性能。
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